Особенности термодеполяризационных явлений в оксидно-цинковой керамике для варисторов
Тонкошкур А.С.1, Клименко В.И.1, Гомилко И.В.1
1Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
Поступила в редакцию: 9 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
Приведены результаты экспериментальных исследований и анализа температурных зависимостей тока термостимулированной деполяризации в оксидно-цинковой керамике для высоковольтных варисторов. Предложена модель деполяризационных явлений, учитывающая перезаряд локализованных электронных состояний по обе стороны межкристаллитного потенциального барьера. На ее основе получены оценки энергии ионизации и концентрации объемных мелкого (~0.07 eV, 1·1017 cm-3), более глубокого (~0.2 eV, 1·1018 cm-3) и поверхностного локализованного (~0.1 eV, 1·1013 cm-2) уровней.
- Квасков В.Б., Чернышева М.А. Электрофизические свойства и применение металлооксидных варисторов. М.: Информэлектро, 1985. 55 с
- Аморфные и полукристаллические полупроводники / Под ред. В. Хейтванга. М.: Мир, 1987. 160 с
- Gupta T.K. // J. Am. Ceram. 1990. Vol. 73. N 7. P. 1817--1840
- Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М.: Наука, 1981. 174 с
- Киселева Л.А., Медведев Ф.К., Сейсян Е.Л. // ЖТФ. 1989. Т. 38. Вып. 11. С. 158--161
- Тонкошкур А.С. // Диэлектрики и полупроводники. 1991. N 39. С. 51--57
- Тонкошкур А.С. и др. // Неорган. материалы. 1994. Т. 30. N 4. С. 574--576
- Eda K., Matsuoka M. // Jap. J. Appl. Phys. 1977. Vol. 16. N 1. P. 195--196
- Eda K. // J. Appl. Phys. 1978. Vol. 49. N 5. P. 2964--2972
- Eda K., Ida A., Matsuoka M. // J. Appl. Phys. 1980. Vol. 51. N 5. P. 2678--2684
- Тонкошкур А.С. // УФЖ. 1984. Т. 29. N 2. С. 244--247
- Pike G.E. // Grain Boundaries in Semiconductors. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1982. Vol. 5. P. 369--379
- Zivic Z. // J. of Microelectronics, Electronics Components and Materials. 1994. N 3. P. 161--171
- Авдеенко Б.К. и др. // Электротехническая промышленность. Аппараты высокого напряжения, транзисторы, силовые конденсаторы. 1979. N 2(94). С. 1--3
- Макаров В.О., Тонкошкур А.С., Черненко И.М. // Электронная техника. Сер. 5. Радиодетали и радиокомпоненты. 1988. N 1(70). С. 18--20
- Стриха В.И. Контактные явления в полупроводниках. Киев: Вища школа, 1982. 204 с
- Тонкошкур А.С. // Изв. вузов. Физика. 1990. N 5. С. 109--111
- Авдеенко Б.К., Тонкошкур А.С., Черненко И.М. // Неорган. материалы. 1982. Т. 18. N 6. С. 1028--1031
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук