Флуктуационный механизм формирования прерывистых треков быстрыми ионами в кристаллах
Белый В.А.1, Комаров Ф.Ф.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 26 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
Рассмотрено влияние многократных потерь и захватов электронов на процесс формирования прерывистых треков от высокоэнергетических ионов в кристаллах. Предлагаемая модель флуктуации заряда позволяет количественно оценить продольные размеры дефектов в прерывистом треке, в то время как расширенная модель термического пика, учитывающая кулоновское расталкивание, дает разумные значения для поперечных размеров дефектов.
- Комаров Ф.Ф., Новиков А.П., Буренков А.Ф. Ионная имплантация. Минск: Изд-во университета, 1994. 303 с
- Gaiduk P.I., Komarov F.F., Wesch W. et al. // Phys. Rev. Lett. In press
- Furino S. et al. // Nucl. Instr. Meth. 1996. Vol. B107. P. 223
- Betz H.D. // Rev. Mod. Phys. 1972. Vol. 44. P. 465
- Izui K. // J. Phys. Soc. Jap. 1965. Vol. 20. P. 915
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. М.: Наука, 1974. N 148
- Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. М.: Мир, 1970. 384 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
