Влияние дефектов на температурную зависимость концентрации электронов в двумерном и легированном каналах селективно-легированных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs
Дмитриев С.Г.1, Спиридонов К.И.1
1Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская область, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.
Представлены результаты расчета концентраций электронов в двумерном и легированном каналах селективно-легированных гетероструктур AlGaAs/GaAs. Показано, что ловушки и поверхностные состояния в слое AlGaAs могут изменить знак температурной зависимости концентрации электронов в двумерном канале.
- Шур М. // Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с
- Mooney P.M. // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 67. N 3. P. R1--R26
- Theis T.N. et al. // J. Electron. Mater. 1991. Vol. 20. N 1. P. 35--48
- Дмитриев С.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. Вып. 11. С. 13--17
- Samara G.A. // Phys. Rev. B. 1983. Vol. 27. N 6. P. 3494--3505
- Pavesi L., Guzzi M. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. N 10. P. 4779--4842
- Smith S.R. et al. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. N 2. P. 1010--1013
- Adachi S. // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 58. N 3. P. R1--R29
- Oelgart G. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1990. N 5. P. 894--899
- Krispin P. et al. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77. N 11. P. 5773--5781
- Борисов В.И., Дмитриев С.Г., Любченко В.Е. и др. // ФТП. 1994. Т. 28. Вып. 7. С. 1199--1204
- Powell A.L. et al. Phys. Rev. Lett. 1991. Vol. 67. N 21. P. 3010--3013
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
