Методом Монте-Карло проведены расчеты энергии, поглощенной в тонких пленках материалов, при воздействии рентгеновского излучения, возникающего при торможении низкоэнергетических электронов (E₀<500 keV) в конверторах с различными атомными номерами (Z=29-73). В программе учтены оба механизма ионизации K-оболочки, приводящие к излучению характеристических фотонов как за счет электронного удара, так и в результате фотоэффекта, и показан большой вклад характеристического излучения в поглощенную энергию в тонких пленках. Расчеты показали, что обоснованный выбор материала и толщины конвертора позволяет в 2-5 раз увеличить энергию рентгеновского излучения, поглощаемую в тонких пленках полупроводниковых материалов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.