Методом емкостной спектроскопии исследованы особенности образования радиационных дефектов в кремниевых диффузионных p⁺-n-структурах при облучении ускоренными электронами. Показано, что при толщинах базы p⁺-n-структур 0.2-0.6 mm наблюдается существенное изменение концентрации образующихся радиационных дефектов с максимумом при 0.25 mm. При уменьшении толщины базы менее 0.2 mm или увеличении более 0.6 mm концентрация радиационных дефектов имеет слабую зависимость от толщины. Наблюдаемый эффект объяснен изменением соотношений концентрации вакансии и междоузельных атомов кремния в базе при формировании p⁺-n-структур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.