Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 1999, выпуск 2 » Статья стр. 54
<<<>>>
Газочувствительность диодных структур на основе карбида кремния
Филиппов В.И.1, Иванов П.А.2, Синянский В.Ф.1, Терентьев А.А.1, Якимов С.С.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 ноября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.
PDF версия
Исследовано изменение электрофизических характеристик Pt/6H-SiC структур при воздействии водорода. Обнаружено, что изменение величины напряжения смещения Pt/6H-SiC структуры при фиксированной емкости связано с концентрацией водорода уравнением Нернста. Отклик сенсора при 150oC составляет 39 mV на декаду изменения концентрации водорода. Получены изменения прямого и обратного токов и дифференциальных сопротивлений диодной структуры в атмосфере содержащей водород. Смещение вольт-фарадной характеристики в сторону отрицательных напряжений и уменьшение дифференциального сопротивления перехода вызваны уменьшением высоты потенциального барьера диода Шоттки в результате диссоциативной адсорбции водорода с образованием двойного заряженного слоя на границе металл-полупроводник. При рабочей температуре структуры около 150oC характеристики структур стабильны. Исследовано влияние температурного (500oC) отжига. Образование при этой температуре силицидов платины приводит к деградации газочувствительных свойств перехода металл-полупроводник.
  1. Solid State Chemical Sensors / Ed. J. Janata, R.J. Hubert. Academic press, 1985. 209 p
  2. Lundstrom I., Spetz A., Winquist F. et al. // Sensors and Actuators. 1990. Vol. B1. P. 15--20
  3. Moritz W., Filippov V., Bartolomaus L. et al. // Proc. Intern. Conf. on Solid State and Actuators. Chicago, 1997. P. 1073--1076.
  4. Иванов П.А., Челноков В.Е. // ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 11. С. 1921--1943
  5. Spetz A., Arbab A., Lundstrom I. // Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. Washington, 1993. P. 629--632
  6. Nylander C., Armgarth M., Svensson C. // J. Appl. Phys. 1984. Vol. 56(4). P. 1177--1188
  7. Дученко М.О., Калыгина В.М. // Поверхность. 1995. N 1. C. 65--69
  8. Chen L.-Y., Hunter G.W., Neudeck P.G. et al. // Transactions 3th Intern. High Temperature Electronics Conf. New Mexico: Albuquerque, 1996. P. 17--22
  9. Кикоин Л.И., Терентьев А.А., Филиппов В.И., Якимов С.С. // ЖТФ. 1994. Т. 64. Вып. 7. С. 131--136
  10. Filippov V., Terentjev A., Yakimov S. // Sensors and Actuators. B. 1994. Vol. 17. P. 121--124
  11. Ito K., Nakazawa T., Tamagawa A. // Proc. 3rd Sensor Symposium. 1983. P. 191--194
  12. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. 655 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme