Влияние облучения ионами углерода и окисления поверхности на скорость двойникования монокристаллов висмута
Остриков О.М.1
1Мозырский государственный педагогический институт, Мозырь, Белоруссия
Поступила в редакцию: 30 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.
Изучено изменение зависимостей нормальной скорости движения двойниковых границ от величины сдвиговых напряжений в плоскости двойникования vn=vn(tau) в кристаллах висмута при ионно-кластерном легировании и окислении облученной поверхности. Облучение производилось ионами углерода энергией 25 keV, дозой 1017 ion/cm2. Двойникование кристаллов проводилось в условиях импульсной нагрузки при длительности импульсов 10-4-10-5 s и амплитуде напряжений 0.2-2.0·103 g/mm2. Установлено, что облучение ионами углерода монокристаллов висмута приводит к смещению зависимости vn=vn(tau) в область более низких напряжений. Окисная пленка тормозит движение двойникующих дислокаций.
- Башмаков В.И., Бродский М.М. // ФММ. 1973. Т. 35. N 1. С. 163--168
- Углов В.В., Кулешов А.К., Раушенбах Б., Кенигер А., Хаммерл К. // Материалы IV Всероссийской конф. по модификации свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц. Томск, 1996. С. 316
- Lovell L.C., Wernick J.H. // J. Appl. Phys. 1959. Vol. 30. P. 234
- Startsev V.I., Soldatov V.P., Brodsky M.M. // Phys. St. Sol. 1966. Vol. 18. P. 863
- Хансен М., Андерко К. Структуры бинарных сплавов. М., 1962. 608 с
- Башмаков В.И., Яковенко Н.Г., Заворная Л.Ф. // ФММ. 1970. Т. 29. N 5. С. 947--951
- Гиндин И.А., Стародубов Я.Д. // ФТТ. 1959. Вып. 1. С. 1794
- Гарбер Р.И., Гиндин И.А. // УФН. 1960. Т. 70. С. 57
- Hull D. // Acta Met. 1960. Vol. 8. P. 11
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
