Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Распыление вольфрама, окиси вольфрама и перемешанных слоев вольфрам--углерод ионами дейтерия в припороговой области энергий
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
2Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва, Россия
2Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.
Развита оригинальная экспериментальная методика определения коэффициентов распыления электропроводящих материалов при бомбардировке легкими ионами газов в припороговой области энергий. Такая информация очень важна как в чисто научном, так и в прикладном планах. В основу методики положен специальный режим автоионно-микроскопического анализа. Процедура измерения коэффициентов распыления включает очистку поверхности путем десорбции и испарения полем и дальнейшую работу с атомно-чистой и атомно-гладкой поверхностью. Методика позволяет идентифицировать единичные вакансии на облученной поверхности, т. е. прямо подсчитывать единичные распыленные атомы. Методика реализована для технически чистого вольфрама, окиси вольфрама и перемешанного слоя W-C на вольфраме, облученном ионами дейтерия. Получены и проанализированы энергетические зависимости коэффициентов распыления указанных материалов ионами дейтерия в области энергий 10-500 eV. Установлена существенная связь между энергетическим порогом распыления и условиями окисления вольфрама. Энергетический порог распыления окисленной поверхности вольфрама равен 65 eV. Энергетический порог распыления перемешанного слоя W-C почти равен соответствующему значению для чистого вольфрама.
- Roth J., Bohdansky J., Ottenberger W. Data on Low Energy Light Ion Sputtering, Max-Planck-Institute fur Plasmaphysik. Report IPP 9/26. 1979
- Muller E.W., Tsong T.T. Field Ion Microscopy. Principles and Application. New York: Elsevier, 1969
- Суворов А.Л. Автоионная микроскопия радиационных дефектов в металлах. М.: Энергоиздат, 1982. 167 с
- Суворов А.Л. и др. // ПТЭ. 1985. N 6. С. 188
- Суворов А.Л. Структура и свойства поверхностных атомных слоев металлов. М.: Энергоатомиздат, 1990. 296 с
- Березняк П.А., Слезов В.В. // РиЭ. 1972. Т. 17. С. 354
- Фоменко В.С. Эмиссионные свойства материалов. Киев: Наукова думка, 1981. 340 с
- Bohdansky J. Research Coordination Meeting on Plasma-Interaction Induced Erosion of Fusion Reactor Materials IAEA. Vienna, 1989
- Ekstein W., Garcia-Rosales C., Roth J., Ottenberger W. Sputtering Data, Max-Planck-Institut fur Plasmaphysik. Report IPP 9/82. 1993
- Roth J., Bohdansky J., Martinelli A.P. // Proc. I Conf. on Ion Beam Modification of Materials. Budapest, 1978. P. 1541
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
