Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 1999, выпуск 10 » Статья стр. 43
<<<>>>
Физическая модель эволюции дефектной системы карбида кремния с учетом внутренних полей упругих напряжений при имплантации ионами Al+ и N+ и последующем отжиге
Куликов Д.В.1, Трушин Ю.В.1, Рыбин П.В.1, Харламов В.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.
PDF версия
Предполагается теоретическое рассмотрение образования и развития дефектов в карбиде кремния, имплантированном ионами азота и алюминия, а затем отожженного. Учитываются диффузия дефектов, комплексообразование, влияние внутренних полей упругих напряжений, созданных имплантированными ионами и образовавшимися комплексами, на миграцию межузлий. Получено удовлетворительное согласие расчетных распределений дефектов с экспериментальными данными. Численно оценены некоторые кинетические параметры карбида кремния.
  1. Harris G.L. Properties of Silicon Carbide. London: INSPEC, 1995. 339 p
  2. Shenai K., Scott R.S., Baliga B.J. // IEEE Trans. Elec. Dev. 1989. Vol. 36. P. 1811--1820
  3. Ruff M., Mitlehner H., Helbig R. // IEEE Trans. Elec. Dev. 1994. Vol. 41. P 1040
  4. Pensl G., Troffer Th. // Solid State Phenomena. 1996. Vol. 47--48. P. 115
  5. Choyke W.J., Pensl G. // MRS Bulletin. 1997. N 3. P 25
  6. O'Connor J.R., Smilttens J. Silicon Carbide, a High-Temperatures Semiconductor. New York: Pergamon, 1960. 435 p
  7. Davis R.F., Kelner G., Shur M., Palmour J.W., Edmond J.A. // Proc. IEEE. 1991. Vol. 79. P. 677-689
  8. Powell J.A., Neudeck P.G., Matus L.G., Petit J.B. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1992. Vol. 242. P. 495--501
  9. Verma A., Krishna P. Polymorphism and Polytypism in Crystals. New York: Wiley, 1966. 233 p
  10. Pirouz P., Yang J.W. // Ultramicroscopy. 1993. Vol. 51. P. 189--197
  11. Heera V., Skorupa W. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1997. Vol. 438. P. 241--252
  12. Edgar J.H. // J. Mater. Res. 1992. Vol. 7. N 1. P. 235--245
  13. Wesch W. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1996. Vol. 116. P. 305--315
  14. Fisher G.R., Barnes P. // Phylos. Mag. B. 1990. Vol. 61. P 217--228
  15. Evino P., Li J., Huntz A.M., Chaumont J. // Mater. Sci. Eng. B. 1992. Vol. 11. P 331--344
  16. Dunbar P., Birnie P. // J. Amer. Ceram. Soc. 1986. Vol. 69. P. 33--40
  17. Константинов А.О. // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 2. С. 270--282
  18. Huang H., Chonien N. // J. Nucl. Mater. 1994. Vol. 212--215. P. 148--155
  19. Мохов Е.Н., Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. // ФТП. 1969. Т. 11. С. 519--530
  20. Kroto L.J., Mitnes A.G. // Sol. St. Electron. 1996. Vol. 9. P. 1125--1134
  21. Spitznagel J.A., Wood S., Choyke W.J. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 1986. Vol. 16. P. 237--245
  22. Davis R.F. // Thin Solid Films. 1989. Vol. 181. P. 1--10
  23. Edmond J.A., Withrow S.P., Kong H.S., Davis R.F. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1986. Vol. 51. P. 395--404
  24. Mc Hargue C.J., Williams J.M. // Nucl. Instr. Meth. B. 1993. Vol. 80/81. P. 889--900
  25. Fohl A., Emrick R.M., Carstanjen H.D. // Nucl. Instr. Meth. B. 1992. Vol. 65. P 335--347
  26. Mc Hargue C.J., Joslin D.L., Williams J.M. // Nucl. Instr. Meth. B. 1990. Vol. 46. P. 185--193
  27. Derst G., Wilbertz C., Bhatia K.L., Kratshmer W., Kalbitzer S. // Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 54. P. 1722--1725
  28. Wendler E., Heft A., Zammit U. et al. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1996. Vol. 116. P. 396--406
  29. Wesch W., Heft A., Heindl J. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 1995. Vol. 106. P. 339--351
  30. Petzold J., Kalnin A.A., Moskwina D.R., Savelyev W.D. // Nucl. Instr. Meth. B. 1993. Vol. 80/81. P. 8943--8951
  31. Perez-Rodrigez A., Pacaud Y., Calvio-Barro L. et al. // J. Electr. Mater. 1996. Vol. 25. P. 541--552
  32. Pacaud Y., Stoemenos J., Brauer G. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 1996. Vol. 120. P. 177--185
  33. Pacaud Y., Skorupa W., Stoemenos J. // Nucl. Instr. Meth. B. 1996. Vol. 120. P. 181--190
  34. Gardner J., Rao M.V., Holland O.W. et al. // J. Electr. Mater. 1996. Vol. 25. P. 885--894
  35. Glaser E., Heft A., Heindl J. et al. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1996. Vol. 142. P. 557--563
  36. Toda T., Yagi K., Koga K., Yoshida K., Niina T. // Proc. 6th ICSCRM. IOPC. Ser. 142. IOP Publ., 1996. P. 545--551
  37. Ahmed S., Barbero C.J., Sigmon T.W. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77. P. 6194--6201
  38. Behar M., Fichtner P.F.P., Grande P.L., Zawislak F.C. // Mater. Sci. Eng. 1995. Vol. 15. P. 1--9
  39. Heera V., Stoemenos J., Kogler R., Skorupa W. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77. P 2999--3006
  40. Albertazzi E., Lulli G. // Nucl. Instr. Meth. B. 1996. Vol. 120. P. 147--155
  41. Neudeck P.G. // J. Electr. Mater. 1995. Vol. 24. P. 283--289
  42. Culter B., Viber P.D., Rafaniello W. et al. // Nature. 1978. Vol. 275. P. 434--438
  43. Rafaniello W., Cho K., Yrkar Y. // J. Mater. Sci. 1981. Vol. 16. N 1. P. 3--11
  44. Zangvil A., Ruh R. // J. Amer. Ceram. Soc. 1988. Vol. 71. P. 884--892
  45. Kern R.S., Tanaka S., Davis R.F. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1994. Vol. 137. P. 389--395
  46. Yankov R.A., Hatzopoulos N., Fukarek W. et al. // Mat. Res. Symp. Proc. 1997. Vol. 438. P. 271--276
  47. Pezoldt J., Yankov R.A., Fukarek W. et al. // Proc. 39th Electronic Materials Conf. Colorado (USA), 1997. To be publ. in J. Electron. Mater
  48. Янков Р.А., Фельскон М., Крайссиг У. и др. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. Вып. 16. С. 6--14
  49. Kharlamov V.S., Kulikov D.V., Truschin Yu.V. et al. // Program and Abstracts of International Workshop on New Approaches to Hi-Tech Materials 97 (Nondestructive Testing and Computer Simulations in Materials Science and Engineering). St. Petersburg, 1997. P. C2--C13
  50. Truschin Yu.V., Yankov R.A., Kharlamov V.S. et al. // Material Science Forum. 1998. Vol. 264--268. P. 757--760
  51. Yankov R.A., Fukarek W., Voelskow M. et al. // Materials Science Forum. 1998. Vol. 264--268. P. 753--756
  52. Truschin Yu.V. Theory of Radiation Processes in Metal Solid Solutions. New York: Nova Science Publishers Inc., 1996. 405 p
  53. Куликов Д.В., Трушин Ю.В., Янков Р.А. и др. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 24. Вып. 1. С. 39--44
  54. Kulikov D.V., Pezoldt J., Rybin P.V. et al. // Program and Abstract of International Workshop on New Approaches to HiTech Materials 98 (Nondestructive Testing and Computer Simulations in Materials Science and Engineering). St. Petersburg, 1998. P. E7
  55. Kulikov D.V., Suris R.A., Truschin Yu.V. // Supercond. Sci. \& Techn. 1995. Vol. 8. P. 303--310.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme