Вышедшие номера
Потенциальные электрические характеристики интерференционных транзисторов на различных материалах
Абрамов И.И.1, Берашевич Ю.А.1, Данилюк А.Л.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 19 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

Проведен теоретический анализ электрических характеристик квантовых интерференционных T-транзисторов на материалах GaAs, InAs, InSb, Si с учетом зависимости эффективных масс от размеров квантовой проволоки. Показано, что при экстремально малых размерах проволоки ни один из материалов не будет иметь существенных преимуществ перед другими по частотным характеристикам исследованных транзисторов.