Сообщается о первых экспериментах по выращиванию монокристаллических слоев оксида цинка на неориентирующих подложках (поликор и плавленный кварц) методом химических транспортных реакций (ХТР) в проточном реакторе пониженного давления в атмосфере водорода. Для обеспечения автоэпитаксии на поверхность неориентирующей подложки предварительно методом магнетронного распыления нанесен оптимизированный промежуточный слой оксида цинка толщиной 200-1000 Angstrem, представляющий собой текстуру базисной ориентации вне зависимости от ориентирующих свойств подложек. Показано, что последующее выращивание слоев на такой поверхности методом ХТР до толщин 1-5 обеспечивает высокое структурное совершенство, однородность и очень гладкую поверхность, в то время как на части поверхности без буферного слоя осаждаются поликристаллические пленки. Предложенный метод может быть использован для выращивания гетероэпитаксиальных структур и других электронных материалов на неориентирующих подложках методом ХТР.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.