Анализируются закономерности реализации релаксационной оптической бистабильности в безрезонаторной схеме на основе полупроводника с температурной зависимостью времени релаксации свободных электронов при воздействии кванта света с энергией, превышающей энергию соответствующего перехода. Обнаружено 11 раличных режимов взаимодействия светового импульса с полупроводником, отличающихся устойчивостью стационарных состояний лазерное излучение-полупроводник, реализацией бистабильности. Показана принципиальная возможность одновременной реализации неустойчивости ветвей бистабильных состояний, в результате чего развиваются автопереключения сисемы из одного состояния в другое. Колебательные режимы могут иметь место также и при наличии неустойчивого верхнего и устойчивого нижнего состояния при небольших флуктуациях параметров (температуры и концентрации свободных электронов) вблизи неустойчивого состояния. Если же вблизи нижнего устойчивого состояния реализуются затухающие колебания, то в сочетании с неустойчивостью состояний верхней ветви развиваются автопереключения при флуктуациях температуры, превышающих некоторое критическое значение вблизи нижнего состояния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.