Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Ускорение диффузии примеси в твердом теле гетерогенной реакцией на его поверхности

Зон Б.А.¹, Ледовский С.Б.¹, Лихолет А.Н.¹

¹Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Voronezh State University, Voronezh, Russia

Поступила в редакцию: 10 ноября 1998 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

PDF версия

Рассмотрено влияние гетерогенной реакции на поверхности твердотельного образца на перераспределение примесей в его глубине. Найдено аналитическое выражение для концентрации дефектов кристаллической решетки в зависимости от координаты и времени с начала реакции. Получено уравнение, описывающее диффузию примеси в таких условиях. Численным моделированием найдена зависимость концентрации примеси ~exp(-(x/sigma)^beta). Проведено сравнение с экспериментом по диффузии фосфора при образовании силицида никеля.

Вавилов В.Е., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграция дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981
Дудко Г.В., Колегаев М.А., Пантелеев В.А. // ФТТ. 1969. Т. 11. Вып. 5. С. 1356
Лабунов В.А., Борисенко В.Е. // ФТП. 1979. Т. 13. Вып. 3. С. 604
Wittmer. M., Ting C.Y., Ohdomari I., Tu K.N. // Appl. Phys. 1982. Vol. 53. P. 6781
Wittmer M., Tu K.N. // Phys. Rev. B. 1984. Vol. 29. N 4. P. 2010
Питанов В.С., Корнфельд И.Н., Ильина Т.Н. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1984. Т. 20. N 9. С. 1582
Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972
Константинов А.О. // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 2. С. 339
Атомная диффузия в полупроводниках / Под ред. Д. Шоу. М.: Мир, 1975
Imperfections In Niarly Perfect Crystals / Ed. by C. Zener, W. Shockley. New York: Wiley, 1952. P. 289
Murarka S.P. Silicides for VLSI Applications. New York: Academic Press, 1983. Пер. с англ. Мюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986
Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики. М.: Наука, 1972
Rosencher E., Delage S., Arnaud F., Avitaya D. // Vac. Sci. Texnol. 1985. Vol. 3. N 2. P. 762
Зон Б.А., Ледовский С.Б., Лихолет А.Н. // ЖТФ. 1998. Т. 68. Вып. 4. С. 75
Усков В.А., Федотов А.Б., Родионов А.И., Думарская Н.С. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1984. Т. 20. N 7. С. 1148

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель