Бушуев В.А.1, Петраков А.П.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 января 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Методами рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения исследованы изменения структуры монокристаллов кремния, которые возникают в процессе неравновесной твердофазной диффузии атомов алюминия при нагреве приповерхностного слоя излучением CO2 лазера с длительностями импульсов 1, 2 и 3 s. Определены профили деформации кристаллической решетки, диффузионные длины, концентрации примеси алюминия, средние размеры и концентрации дислокационных петель.
- Атомная диффузия в полупроводниках / Под ред. Д. Шоу. М.: Мир, 1975. 462 с
- Кияк С.Г. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1989. Т. 53. N 3. С. 417--423
- Фистуль В.И., Павлов А.М. // ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 5. С. 854--858
- Фистуль В.И., Павлов А.М., Агеев А.П., Аронов А.Ш. // ФТП. 1986. Т. 20. Вып. 12. С. 2140--2144
- Антонов С.Л., Маненков А.А., Михайлов Г.Н. и др. // Поверхность. 1991. N 5. С. 151--153
- Fukuhara A., Takano Y. // Acta Cryst. A. 1977. Vol. 33. N 1. P. 137--142
- Holy V., Kubena J. // Czech. J. Phys. B. 1979. Vol. 29. N 10. P. 1161--1172
- Iida A. // Phys. Stat. Sol. (a). 1979. Vol. 54. N 2. P. 701--706
- Kyutt R.N., Petrashen P.V., Sorokin L.M. // Phys. St. Sol. (a). 1980. Vol. 60. N 2. P. 381--389
- Speriosu V.S. // J. Appl. Phys. 1981. Vol. 52. N 10. P. 6094--6103
- Бушуев В.А., Петраков А.П. // ФТТ. 1993. Т. 35. Вып. 2. С. 355--364
- Бушуев В.А., Петраков А.П. // Кристаллография. 1995. Т. 40. N 6. С. 1043--1049
- Петраков А.П., Голубев Е.А. // ФТТ. 1998. Т. 40. Вып. 1. С. 156--160
- Афанасьев А.М., Александров П.А., Имамов Р.М. Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев. М.: Наука, 1982. 152 с
- Пинскер З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. М.: Наука, 1982. 368 с
- Еремеев В.С. Диффузия и напряжения. М.: Энергоатомиздат, 1984. 184 с
- Dederichs P.H. // Phys. Rev. B. 1971. Vol. 4. N 4. P. 1041--1050
- Dederichs P.H. // Phys. Rev. B. 1970. Vol. 1. N 4. P. 1306--1317
- Бушуев В.А., Петраков А.П. // Поверхность. 1992. N 9. С. 64--70
- Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир, 1973. 296 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.