Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2000, выпуск 6 » Статья стр. 98
<<<>>>
Особенности распыления фуллереновых пленок C60 при бомбардировке ионами и атомами аргона с энергией 0.1--1 keV
Сошников И.П., Лунев А.В., Гаевский М.Э., Роткина Л.Г., Барченко В.Т.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.
PDF версия
Исследовано явление распыления фуллереновых пленок C60 при облучении ионами Ar+. Обнаружено, что при небольших толщинах пленок наблюдаются эффекты блистеринга, связанные с диффузией имплантированных частиц аргона по интерфейсной границе слой/подложка. В области энергий ионов около 0.2 keV наблюдаются пороговые эффекты в распылении, что существенно выше, чем для графитов. Для зависимости выхода от энергии ионов показано, что она описывается в рамках приближения Зигмунда-Фальконе, учитывающего эффекты неизотропности в каскадах столкновений, с приближением Юдина для распыления простых материалов. Полученное значение поверхностной энергии связи для фуллеренов равно Us=~6.7 eV, что меньше, чем для графитов, Us graph=7.7 eV.
  1. Hoffman A., Paterson P.J.K., Johnson S.T. et al. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 53. P. 1573
  2. Бажин А.И., Дружинин Г.М., Рыжов В.Н. // Материалы XIII Междунар. конф. "Взаимодействие ионов с поверхностью". М., 1997. Т. 2. С. 26
  3. Джемилев Н.Х., Веревкин И.В., Максимов С.Е. и др. // Материалы Межунар. конф. "Эмиссионная электроника". Ташкент, 1997. С. 135
  4. Джемилев Н.Х., Веревкин И.В., Максимов С.Е. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 1996. Т. 60. Вып. 7. С. 121
  5. Tada T., Kanayama T. // Jap. J. Appl. Phys. 1996. Vol. 80. P. L63
  6. Zhao Y.B., Poirer D.M., Pechman R.J., Weaver J.H. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 64. P. 577
  7. Matus M., Winter J., Kuzmany H. // Solid State Science / Ed. J. Fink, H. Kuzmany, M. Mehrig, R. Roth. Springer Ser. 1993. Vol. 117
  8. Сангвал С. Травление кристаллов. М. Мир, 1992
  9. Козырев С.В., Роткин В.В. // ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 9. С. 1409
  10. Akselrod L., Byrne H.J., Sutto T.E., Roth S. // Chem. Phys. Lett. 1995. Vol. 233. P. 436
  11. Krakow W., Rivera N.M., Roy R.A. et al. // Appl. Phys. A. 1993. Vol. 56. P. 185
  12. Chen D.M., Xu H., Creager W.N., Burnet P. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1994. Vol. 12. P. 1910
  13. Барченко В.Т., Соколовский А.Ю. // Изв. ЛЭТИ. Л., 1982. Т. 303. С. 42
  14. Берт Н.А., Сошников И.П. // ФТТ. 1993. Т. 35. Вып. 9. С. 2501
  15. Сошников И.П., Берт Н.А., Кудрявцев Ю.А., Лунев А.В. // Поверхность. 1997. Вып. 3. С. 83
  16. Soshnikov I.P., Bert N.A., Kudrjavtsev Yu.A., Lunev A.V. // Nucl. Instr. Meth. B. 1997. Vol. 127/128. P. 115
  17. Malherbe J.B. // Sol. St. and Mater. Sci. 1994. Vol. 19. P. 55
  18. Comas J., Cooper C.B. // J. Appl. Phys. 1967. Vol. 38. P. 2956
  19. Бетц Г., Венер Г. // Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / Под ред. Р. Бериша. М.: Мир, 1986. Т. 2. С. 24
  20. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ / Под ред. А.В. Новоселовой. М.: Наука, 1978
  21. Itoh I., Yamamura Y. et al. // Atom. Data \& Nucl. Data Tabl. 1984. Vol. 80. P. 3
  22. Bach H., Kitzmann I., Schroeder H. // Radiat. Eff. 1974. Vol. 21. P. 31
  23. Фальконе Дж. // УФН. 1993. Т. 162. Вып. 4. С. 71
  24. Юдин В.В. // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1984. Вып. 6(172). С. 3

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme