Адсорбционный механизм фазового превращения стабилизированного диоксида циркония
Алексеенко В.И.1, Волкова Г.К.1
1Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина АН Украины, Донецк, Украина
Поступила в редакцию: 14 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
В дисперсном и керамическом материале стабилизированного диоксида циркония экспериментально обнаружено поверхностное мартенситное тетрагонально-моноклинное превращение, обусловленное адсорбцией воды. Рассмотрен механизм такого превращения, суть которого состоит в возникновении локальной деформации растяжения решетки за счет изменения зарядового состояния стабилизатора в результате хемосорбции квазимолекул воды поверхностью частиц порошка и керамики.
- Claussen N. // Materials Sci. and Eng. 1985. Vol. 71. P. 23--38
- Акимов Г.Я., Тимченко В.М., Горелик И.В. // ФТТ. 1994. Т. 36. Вып. 12. С. 3582--3586
- Yoshimura M. // Ceramic Bulletin. 1988. Vol. 67. N 12. P. 1950--1955
- Вишневский И.И., Гавриш А.М., Сухаревский Б.Я. // Тр. Укр. НИИ огнеупоров. 1962. Вып. 6(53). С. 74--80
- Livage J., Mazieres Ch. // C.r. Acad. Sci. 1965. Vol. 261. N 21. P. 4433--4435
- Denoux M. // C.r. Acad. Sci. 1965. Vol. 260. N 19. P. 5003--5005
- Krauth A., Meyer H. // Ber. Dt. Reram. Ges. 1965. Bd. 42. N 3. S. 61--72
- Полежаев Ю.М. // Журнал физ. химии. 1967. Т. 41. N 11. С. 2958--2959
- Mumpton F., Roy R. // J. Amer. Ceram. Soc. 1960. Vol. 43. N 5. P. 234--240
- Глушкова В.Б. // Редкоземельные металлы, сплавы и соединения. М.: Наука, 1973. С. 216--217
- Hund F. // J. Electrochem. Soc. 1951. Vol. 55. P. 363--367
- Mitsuhasi T., Ichihara M., Tatsuke U. // Ibid. 1974. Vol. 57. N 2. P. 97--101
- Waguer C. // Naturwis-senschaften. 1943. Bd. 31. S. 265
- Наумов И.И., Ольховик Г.А., Великохатный О.И., Апаров Н.Н. // Неорган. материалы. 1992. Т. 28. N 4. С. 805--811
- Волькенштейн Ф.Ф. Электронная теория катализа на полупроводниках. М.: ИФМЛ, 1960. 216 с
- Стрекаловский В.Н., Полежаев Ю.М., Пальгуев С.Ф. Оксиды с примесной разупорядоченностью. М.: Наука, 1987. 156 с
- Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники. М.: Сов. радио, 1971. 374 с
- Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. М.: Мир, 1984. 354 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук