Вышедшие номера
Распыление A3B5 материалов (GaP, GaAs, GaSb, InP и InSb) при бомбардировке ионами N2+ с энергией 2--14 keV
Сошников И.П.1, Берт Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ipsosh@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 11 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Проведены исследования основных закономерностей и особенностей распыления при бомбардировке ионами N2+ материалов A3B5 (GaP, GaAs, GaSb, InP и InSb). В результате проведенных экспериментов определены зависимости выхода распыления исследуемых материалов от энергии и угла падения ионов, а также изучены типы поверхностного рельефа, образующегося при травлении мишеней. Показано, что энергетические зависимости выхода распыления для материалов GaP, GaAs и InP удовлетворительно описываются в рамках формулы Хаффа-Свитковски для двухкомпонентных материалов с приближением Юдина для однокомпонентных мишеней. Для GaSb и InSb распыление протекает в режиме рекристаллизации поверхностных слоев и выход распыления согласуется с расчетом с применением модели Ондерлиндена. Из сравнения экспериментальных и расчетных зависимостей определены значения поверхностных энергий связи.