Свойства пленок CuInSe2, полученных селенизацией слоев Cu--In
Зарецкая Е.П.1, Гременюк В.Ф.1, Залесский В.Б.1, Иванов В.А.1, Викторов И.В.1, Ковалевский В.И.1, Ермаков О.В.1, Леонова Т.Р.1
1Институт физики твердого тела и полупроводников АН Белоруссии, Минск, Белоруссия Институт электроники АН Белоруссии, Минск, Белоруссия
Email: gremenok@Ifttp.bas-net.by
Поступила в редакцию: 26 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.
Методом селенизации слоев Cu-In c соотношением Cu/In=2.9-0.5 в закрытой системе получены пленки CuInSe2 со структурой халькопирита, ориентированные в плоскости (112). Морфология поверхности, фазовый состав, электрические характеристики и низкотемпературная фотолюминесценция пленок зависит от соотношения Cu/In в слоях.
- Rockett A., Birkmire R.W. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70. P. 7--23
- Hedstron J., Ohlsen H., Bodegart M. et al. // Proc. 23rd Photovoltaic Special. Conf. New York, 1993. P. 364
- Deb S.K.// Intern. Phys. Conf. 1998. Ser. N 152. P. 923--927
- Alberts V., Schon J.H., Witcomb J.W. et al. // J. Phys. D. 1998. Vol. 31. P. 2869--2876
- Schon J.H., Alberts V., Bucher E. // Thin Solid Films. 1997. Vol. 301. N 3. P. 115--121
- Kessler J., Dittrich H., Grunvald F., Shock H.W. // Proc. 12th EC Photovoltaic Energy Conf. Amsterdam, 1994. P. 879
- Adurodija F.O., Forbes J., Carter M.J., Hill R. // J. Mat. Sci. Lett. 1996. Vol. 11. P. 478--481
- Adurodija F.O., Song J., Kim S.D. et al. // Thin Solid Films. 1999. Vol. 9. N 1, 2. P. 13--19
- Schon J.H., Alberts V., Bucher E. // Thin Solid Films. 1997. Vol. 301. N 3. P. 115--121
- Tanda M., Manaka S., Yamada A. // Jap. J. Appl. Phys. 1993. Vol. 32. P. 1913--1918
- Zott S., Leo K., Ruckh M., Schock H.M. // Crystal Research Technology. 1996. Vol. 31. N 2. P. 729--732
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук