Особенности формирования и термостабильность многослойных невыпрямляющих контактов n-GaAs с антидиффузионными барьерами на основе TiBx и Mo
Миленин В.В., Конакова Р.В., Иванов В.Н., Бекетов Г.В., Полудин В.И., Ермолович И.Б.1
1Институт физики полупроводников АН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 26 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.
Исследовались особенности термической деградации многослойных омических контактов Au-Mo-TiBx-AuGe-GaAs с антидиффузионными барьерами Mo и TiBx, используемых при создании диодов Ганна. До и после отжига в аргоне при T=400,600,800oC в течение 60 s методом оже-электронной спектроскопии измерялись профили распределения компонент в контакте методами микроскопии атомных сил и растровой электронной микроскопии - микрорельеф границы раздела металл-полупроводник и морфология поверхности контакта. Измерялось также сопротивление мезаструктуры диода Ганна. Показано, что отжиг при T=400o не нарушает слоевой структуры контакта. Отжиг при T=600oC приводит к структурной перестройке слоев металлизации, сопровождающейся ее растрескиванием. Установлено, что фактором, определяющим термический порог деградации омических контактов Au-Mo-TiBx-AuGe-GaAs, является устойчивость слоя TiBx к термовоздействиям. Обсуждаются причины соответствующих изменений барьерных антидиффузионных свойств Mo и TiBx.
- Стриха В.И., Попова Г.Д., Бузанева Е.В. // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1975. Вып. 20. С. 20--35
- Braslau N. // Thin Solid Films. 1983. N 104. P. 391--397
- Лапшинов Б.А., Камлев А.В., Кравченко Л.Н., Оплеснин В.Л. // Зарубежная электронная техника. 1987. N 5. С. 58--73
- Ионная имплантация и лучевая технология / Под ред. Дж. Вильямса, Дж.М. Поута. Пер. с англ. Киев: Наукова думка, 1988. 360 с
- Каганович Э.Б., Свечников С.В. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1991. Вып. 22. С. 3--21
- Голдберг Ю.А. // ФТП. 1994. Т. 28. Вып. 10. С. 1681--1698
- Иванов В.Н., Коваленко Л.Е., Сумская Т.С. и др. // ЭТ. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1988. Вып. 4 (195). С. 49--53
- Anderson W.T. et al. // IEEE Trans. Ind. Electron. 1982. Vol. ID-29. N 2. P. 149--153
- Murakami M., Price W.H., Shih Y.-C. et al. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62. N 8. P. 3288--3294
- Андриевский Р.А. // Успехи химии. 1997. Т. 66. N 1. С. 57--77
- Черепин В.Т., Васильев М.А. Методы и приборы для анализа поверхности материалов. Киев: Наукова думка, 1982. 599 с
- Binning G., Quata C.F., Gerber C. // Phys. Rev. Lett. 1986. Vol. 54. P. 930--933
- Брянцева Т.А., Волков А.И., Дворянкина Г.Г. // ЭТ. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1977. Вып. 3(119). Сер. 2. С. 40--47
- Chen J., Barnard S.A. // Materials Science and Enginnering. 1995. Vol. A191. P. 233--238
- Sood D.K., Mukherjee S., Katselis G. et al. // Surf. Coat. Technol. 1998. N 103--104. P. 304--311
- Федер Е. Фракталы. Пер. с англ. М.: Мир, 1991. 254 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук