Вышедшие номера
Особенности формирования и термостабильность многослойных невыпрямляющих контактов n-GaAs с антидиффузионными барьерами на основе TiBx и Mo
Миленин В.В., Конакова Р.В., Иванов В.Н., Бекетов Г.В., Полудин В.И., Ермолович И.Б.1
1Институт физики полупроводников АН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 26 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

Исследовались особенности термической деградации многослойных омических контактов Au-Mo-TiBx-AuGe-GaAs с антидиффузионными барьерами Mo и TiBx, используемых при создании диодов Ганна. До и после отжига в аргоне при T=400,600,800oC в течение 60 s методом оже-электронной спектроскопии измерялись профили распределения компонент в контакте методами микроскопии атомных сил и растровой электронной микроскопии - микрорельеф границы раздела металл-полупроводник и морфология поверхности контакта. Измерялось также сопротивление мезаструктуры диода Ганна. Показано, что отжиг при T=400o не нарушает слоевой структуры контакта. Отжиг при T=600oC приводит к структурной перестройке слоев металлизации, сопровождающейся ее растрескиванием. Установлено, что фактором, определяющим термический порог деградации омических контактов Au-Mo-TiBx-AuGe-GaAs, является устойчивость слоя TiBx к термовоздействиям. Обсуждаются причины соответствующих изменений барьерных антидиффузионных свойств Mo и TiBx.