Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2001, выпуск 1 » Статья стр. 66
<<<>>>
Влияние УФ облучения на температурную зависимость фотолюминесценции и фотоакустический отклик пористого кремния
Бащенко С.Н.1, Блонский И.В.1, Бродин М.С.1, Кадан В.Н.1, Скрышевский Ю.Г.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: kadan@iop.kiev.ua
Поступила в редакцию: 14 января 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
PDF версия
Изучено влияние УФ облучения на вид зависимости интегральной интенсивности люминесценции Ilum(T) образцов пористого кремния от температуры. Установлено, что для образцов с немонотонным характером температурного затухания при повышении плотности возбуждения максимум Ilum(T) смещается в сторону более высоких температур. УФ облучение таких образцов меняет вид Ilum(T) от немонотонного к монотонно убывающему. В образцах с изначально монотонно убывающим характером зависимости Ilum(T) влияние предварительного УФ облучения приводит к изменению структуры спектра излучения и увеличению темпа температурного тушения красно-оранжевой полосы. Изучено изменение амплитуды импульсного фотоакустического отклика с изменением дозы УФ облучения. Установленная зависимость объясняется с позиций очистки развитой поверхности пористого кремния от инородных включений. Предложена энергетическая диаграмма состояний, с учетом которой объясняется поведение Ilum(T). Обращается внимание на то, что вид зависимости Ilum(T) может оказаться тем тестом, с помощью которого можно разграничить вклады в суммарную красно-оранжевую полосу излучения от осцилляторов разной природы.
  1. Canham L.T. // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 57. N 10. P. 1046--1048
  2. Cullis A.G., Canham L.T., Calcott P.D. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. N 3. P. 909--965
  3. Zheng X.L., Wang W., Chen H.C. // Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 60. N 8. P. 986--988
  4. Mochizuki Y., Mizuta M., Ochiai Y. et al. // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 46. N 19. P. 12353--12357
  5. Кашкаров П.К., Константинова Е.А., Петрова С.А. и др. // ФТП. 1997. Т. 31. N 6. С. 745--748
  6. Xu Z.Y., Gal M., Gross M. // Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 60. N 11. P. 1375--1377
  7. Murayama K., Miyazaki S., Hirose M. // Jap. J. Appl. Phys. 1994. Vol. 33. N 6A. P. 3310--3313
  8. Bashchenko S.N., Blonskiy I.V., Puzikov V.M. // Materials SPIE. 1997. Vol. 3359. P. 519--522
  9. Свечников С.В., Саченко А.В., Сукач Г.А. и др. // Опт. и полупр. техн. 1994. Вып. 27. С. 3--29
  10. Blonskiy I.V., Brodin M.S., Thoryk V.A. // Semicond. Sci. Technol. 1997. Vol. 12. N 1. P. 11--18
  11. Бродин М.С., Блонский И.В., Тхорик В.А. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. Вып. 14. С. 41--45
  12. Буянова И.А., Городецкий И.Я., Корсунская Н.Е. и др. // ФТП. 1996. Т. 30. N 8. С. 1516--1524

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme