Влияние знака заряда иона на стимуляцию плазмохимического травления кремния
Павлов С.Н.1
1Научный центр "Институт ядерных исследований", НАН Украины, Киев, Украина
Email: interdep@kinr.kiev.ua
Поступила в редакцию: 1 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
Исследуется относительное влияние ионов разных знаков заряда на стимуляцию травления кремния в плазменных условиях. Радикалы фтора производятся тлеющим разрядом с градиентом давления. Пучок положительных или отрицательных ионов создается с помощью источника ионов пеннинговского типа. Поток радикалов фтора и пучок ионов совмещаются на поверхности кремния, расположенного в высоковакуумном объеме. Положительные ионы могут быть конвертированы в быстрые нейтральные атомы методом резонансной перезарядки и собственном газе. Показано, что наибольшей каталитической способностью обладают быстрые нейтральные атомы. Каталитическое влияние положительных ионов примерно в два раза ниже. Отрицательные ионы занимают промежуточное положение. Впервые обнаружено, что некоторые виды ионов (например, молекулярный кислород) не ускоряют, а замедляют процесс травления, т. е. ведут себя как ингибиторы.
- Hosokawa N., Matsuzaki R., Asamaki T. // Jap. J. Appl. Phys. Suppl. 1974. Vol. 2. Pt 1. P. 435
- Holland L., Ojha S.M. // Vacuum. 1976. Vol. 26. N 1. P. 53
- Плазменная технология в производстве СБИС / Под ред. Н. Айнспрука, Д. Брауна. М.: Мир, 1987. 462 с
- Данилин Б.С., Киреев В.С. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат, 1987. 263 с
- Coburn J.W., Winter H.W. // J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50. N 5. P. 3189
- Flamm D.L., Donnelly V.M. // J. Vac. Sci. Technol. B1. 1983. N 1. P. 23
- Pabst M.J., Tan H.S., Franklin J.L. et al. // Intern. J. Mass. Spectr. Ion Phys. 1976. Vol. 20. N 1. P. 191
- Williams R.F. // Plasma Processing of Semiconductors / Ed. R.F. Williams. NATO ASI Series E. Dordrecht: Kluwer Academic Publishers, 1996. Vol. 336. P. 321
- Perrin J. // Ibid. P. 397
- Словецкий Д.И. // Химия плазмы. М.: Энергоиздат, 1983. Вып. 10. С. 108
- Winters H.F., Coburn J.W. // J. Vac. Sci. Technol. B3. 1985. N 5. P. 1376
- Donnelly V.M., Layadi N., Lee J.T.C. et al. // Plasma processing of Semiconductors / Ed. R.F. Williams. NATO ASI Series E. Dordrecht: Kluwer Academic Publishers, 1996. Vol. 336. P. 243
- Winters H.F., Coburn J.W. // Surf. Sci. Rep. 1992. Vol. 14. N 4--6. P. 161
- Flamm D.L. // Plasma Processing of Semiconductors / Ed. R.F. Williams. NATO ASI Series E. Dordrecht: Kluwer Academic Publishers, 1996. Vol. 336. P. 23
- Mauer J.L., J.S. Logan J.L., Zielinski L.B., Schwartz G.C. // J. Vac. Sci. Technol. 1978. Vol. 15. P. 1734
- Киреев В.Ю., Назаров Д.А., Кузнецов В.И. // Электрон. обраб. материалов. 1986. N 6. С. 37
- Oostra D.J., Haring A., de Vries A.E. et al. // Nucl. Instr. and Meth. 1986. Vol. B13. P. 556
- Киреев В.Ю., Кремеров М.А. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1985. N 1 (113). С. 3
- Keller J.H. // Plasma Phys. Control. Fusion. 1997. Vol. 39. P. A437--A443
- Данилина Т.И., Иванова Е.В., Крейндель Ю.Е., Левщук Л.А. // ПТЭ. 1968. N 3. С. 158
- Хастед Дж. // Физика атомных столкновений. М.: Мир, 1965. 710 с
- Иоффе М.С., Соболев Р.И., Тельковский В.Г., Юшманов Е.Е. // ЖЭТФ. 1960. Т. 39. С. 1602
- Gerlach-Meyer U., Coburn J.W. // Surf. Sci. 1981. Vol. 103. P. 177
- Hagstrum H.D. // Phys. Rev. 1956. Vol. 104. P. 672
- Hagstrum H.D., Tekeishi Y. // Phys. Rev. 1965. Vol. 139. P. 526
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
