Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Лазерная имплантация и диффузия магния в кремний
1Ереванский государственный университет, Ереван, Армения 
2(Aroutiounian)
2(Aroutiounian)
Email: vladimir@www.physdep.r.am
Поступила в редакцию: 21 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
Представлены экспериментальные результаты лазерно-стимулированной диффузии ("имплантации") атомов магния в кремний. Показано, что облучение неодимовым лазером (lambda=1.06 mum, tau~ 0.4 ms) приводит к увеличению растворимости и коэффициента диффузии магния в кремний. Исследованы вольт-амперные, вольт-фарадные характеристики, а также спектры термостимулированных токов кристаллов <Si + Mg>.
- Гаспарян Ф.В., Адамян З.Н., Арутюнян В.М. Кремниевые фотоприемники. Ереван: ЕГУ, 1989. 362 с
- Фистуль В.И., Павлов А.М. // ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 5. С. 854--858
- Хайбулин И.Б., Смирнов Л.С. // ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 4. С. 569--591
- Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М., 1982. 208 с
- Карпов С.Ю., Ковальчук Ю.В. // ФТП. 1986. Т. 20. Вып. 11. С. 1945--1966
- Chen J.W., Milnes A.G. // Ann. Rev. Mater. Sci. 1980. Vol. 10. P. 157
- Ohta E. and M. Sakata // Solid-State Electron. 1979. Vol. 22. P. 677
- Liu A.L. // J. Appl. Phys. 1982. Vol. 53. P. 6989
- Kleverman M., Bergman K., Grimmeis H.G. // Semicond. Sci. Technol. 1986. Vol. 1. P. 49
- Janzen E., Sterdman R., Grossman G. Grimmeis H.G. // J. Phys. Rev. 1984. Vol. 29B. P. 1099
- Wang J., Wood R., Pronko P. // Appl. Phys. Lett. 1978. Vol. 33. P. 455
- Hensen M., Anderko K. Constitutions of Binary Alloys. New York: McGraw-Hill Book Company, Inc., 1958. P. 1488
- Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1961. 462 с
- Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. // ФТТ. 1982. Т. 24. Вып. 7. С. 2170--2176
- Стрекалов В.Н. // ФТП. 1986. Т. 20. Вып. 2. С. 361--363
- Вихнин В.С., Шейнкман М.К. // ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 9. С. 1577--1584
- Павлов Л.В. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987. 240 с
- Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. 562 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
