Проведено численное моделирование нестационарной кинетики роста слоев твердого раствора из силана и германа для метода молекулярно-лучевой эпитаксии с газовыми источниками. Изучена кинетика роста и сделан сравнительный анализ эффективности расплывания профиля распределения атомов германия в окрестности границ в структурах Si-Si_1-xGe_x как при отсутствии атомарных потоков в реакторе, так и при их наличии (метод "горячей проволоки"). Показано, что технологический процесс с применением дополнительного горячего источника не только способствует повышению скорости роста, но и при давлении газа выше, чем 10^-3 Torr (но с сохранением молекулярного течения газов), и температурах роста T_gr<600^oC может быть оптимален для минимизации ширины переходных областей в окрестности гетерограниц структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.