Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2001, выпуск 4 » Статья стр. 53
<<<>>>
Особенности массопереноса в методе гидридной эпитаксии структур Si1-xGex/Si в условиях нестационарного процесса
Орлов Л.К.1, Ивин С.В.1, Потапов А.В.1, Ивина Н.Л.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
PDF версия
Проведено численное моделирование нестационарной кинетики роста слоев твердого раствора из силана и германа для метода молекулярно-лучевой эпитаксии с газовыми источниками. Изучена кинетика роста и сделан сравнительный анализ эффективности расплывания профиля распределения атомов германия в окрестности границ в структурах Si-Si1-xGex как при отсутствии атомарных потоков в реакторе, так и при их наличии (метод "горячей проволоки"). Показано, что технологический процесс с применением дополнительного горячего источника не только способствует повышению скорости роста, но и при давлении газа выше, чем 10-3 Torr (но с сохранением молекулярного течения газов), и температурах роста Tgr<600oC может быть оптимален для минимизации ширины переходных областей в окрестности гетерограниц структуры.
  1. Greve D.W. // Materials Science and Engineering. 1993. Vol. B18. P. 22
  2. Vinh L.T., Aubry-Fortuna V., Zheng Y. et al. // Thin Solid Films. 1997. Vol. 294. P. 59
  3. Thiesen J., Iwaniczko E., Jones K.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. P. 992
  4. Brogueira P., Conde J.P., Arecat S., Chu V. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. P. 3776
  5. Chelly R., Werckmann J., Angot T. et al. // Thin Solid Films. 1997. Vol. 294. P. 84
  6. Orlov L.K., Tolomasov V.A., Potapov A.V. et al. // IEEE SIMC-9./ Ed. C. Fontaine. 1996. P. 215
  7. Толомасов В.А., Орлов Л.К., Потапов А.В. и др. // Кристаллография. 1998. Т. 43. С. 535
  8. Potapov A.V., Orlov A.V., Ivin C.V. // Thin Solid Films. 1999. Vol. 336. P. 191
  9. Орлов Л.К., Потапов А.В., Ивин С.В. // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 6. С. 102
  10. Orlov L.K., Potapov A.V., Ivin S.V. // Proc. 3d Intern. Conf. "Single Crystal Growth, Strength Problems, and Heat Mass Transfer". Obninsk, 1999. P. 78
  11. Orlov L.K., Potapov A.V., Ivin S.V. // Sol. St. Phenomena. 1999. Vol. 69--70. P. 221
  12. Орлов Л.К., Потапов А.В., Рубцова Р.А., Орлова Н.Л. // Изв. РАН. 1999. Т. 53. С. 267
  13. Орлов Л.К., Толомасов В.А., Потапов А.В., Вдовин В.И. // Изв. вузов. Сер. Материалы электронной техники. 1998. N 2. С. 30

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme