Вышедшие номера
Кристаллохимическое моделирование сегнетоэлектрических материалов с низкой диэлектрической проницаемостью
Резниченко Л.А.1, Кузнецова Е.М.1, Разумовская О.Н.1, Шилкина Л.А.1
1Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
Email: klevtsov@iphys.rnd.runnet.ru
Поступила в редакцию: 21 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

Показано, что изовалентным (в A-подъячейке) сверхстехиометрическим модифицированием твердых растворов ниобатов щелочных металлов возможно повысить однородный параметр деформации элементарной ячейки и резко снизить диэлектрическую проницаемость образцов. Предложен механизм наблюдаемого эффекта. Сделано заключение о перспективности использования установленных закономерностей для моделирования практически важных сегнетопьезоэлектрических материалов.