Изучалось изменение характеристик емкость-напряжение (C-U) и ток-напряжение (I_f-U и I_r-U) структур полупроводник-твердый металл (GaAs-Ni) в процессе их непрерывного и ступенчатого нагревания. Изначально свойства исследуемых структур соответствовали теории термоэлектронной эмиссии. Показано, что в процессе непрерывного нагревания выпрямляющие структуры переходят в омические при некоторой температуре T_Ohm=720 K, существенно более низкой, чем температуры плавления металла или эвтектика металла и полупроводника. Для сравнения изучались свойства структур, отожженных при различных температурах T_ann и охлажденных до комнатной температуры (ступенчатое нагревание). Показано, что в этом случае I-U-зависимости были близки к исходным после отжига структур при T_ann<T₀=553 K; при T_ann>T₀ на этих характеристиках наблюдались избыточные токи, и, наконец, при увеличении T_ann на 200-300 K по сравнению с T₀ характеристики полностью переходили в омические. Предполагается, что эти явления связаны с химическим взаимодействием Ni и GaAs, что приводит к изменению поверхностных свойств полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.