Молекулярно-пучковая эпитаксия GaAsN на GaAs с использованием плазменного источника, возбуждаемого постоянным током
Жуков А.Е., Семенова Е.С., Устинов В.М., Weber E.R.1
1Department of Materials Science and Mineral Engineering University of California Berkeley, California, USA
Поступила в редакцию: 30 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.
Серия слоев GaAsN была выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием нового типа плазменного источника азoта с активацией постоянным током. Эффективность встраивания азота, кристаллическое совершенство, морфология поверхности и люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев исследованы во взаимосвязи с различными режимами работы источника.
- Kondow M., Uomi K., Niwa A. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1996. Vol. 35. P. 1273--1275
- Ustinov V.M., Zhukov A.E. // Semicond. Sci. Technol. 2000. Vol. 15. P. R41--R54
- Livshits D.A., Egorov A.Yu., Reichert H. // Electron. Lett. 2000. Vol. 36. N 16. P. 1381--1382
- Choquette K.D., Klem J.F., Fischer A.J. et al. // Electron. Lett. 2000. Vol. 36. N 16. P. 1388--1390
- Sopanen M., Xin H.P., Tu C.W. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. No 8. P. 994--996
- Pan Z., Li L.H., Lin Y.W. et al. // J. Cryst. Growth. 2000. Vol. 209. P. 648--652
- Anders A., Kuhn M. // Rev. Sci. Instrum. 1998. Vol. 69. P. 1340--1343
- Matthews J.W., Blakeslee A.E. // J. Cryst. Growth. 1974. Vol. 27. P. 118--125
- Uesugi K., Morooka N., Suemune I. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 74. N 9. P. 1254--1256
- Zhukov A.E., Ustinov V.M., Alferov Zh.I. // Int. J. High Speed Electron. Syst. 1998. Vol. 9. N 4. P. 1109--1138
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук