Вышедшие номера
Обнаружение заряженных дефектов с помощью спектров люминесценции
Гинзбург Л.П.1, Жилинский А.П.1
1Московский технический университет связи и информатики, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Изложена методика анализа низкочастотного участка спектра люминесценции, которая позволяет установить наличие абсолютно жесткой кулоновской щели, образованной локализованными заряженными дефектами. Эффективность методики иллюстрируется на примерах люминесценции в аморфных полупроводниках, в оптических волокнах, а также триболюминесценции.