Вышедшие номера
Роль маскирующего оксида на кремнии в процессах дефектообразования при формировании SIMOX-структур
Аскинази А.Ю.1, Барабан А.П.1, Милоглядова Л.В.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Исследованы структуры Si-SiO2, сформированные путем имплантации в кремний ионов кислорода (SIMOX-технология) методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, и методом электролюминесценции. Установлено существование в сформированном окисном слое вблизи границы с кремнием электрически активных центров и центров люминесценции. Выяснена роль маскирующего слоя SiO2 на кремнии в процессах дефектообразования при формировании замурованного окисного слоя. Установлена зависимость концентрации электрически активных и люминесцентных центров от толщины маскирующего слоя.