Влияние гамма-облучения на характеристики фотопреобразования барьерных структур металл--арсенид галлия с текстурированной границей раздела
Дмитрук Н.Л.1, Борковская О.Ю.1, Конакова Р.В.1, Мамонтова И.Б.1, Мамыкин С.В.1, Войциховский Д.И.1
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Email: nicola@dep39.semicond.kiev.ua
Поступила в редакцию: 16 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
Проведено сравнительное исследование влияния gamma-облучения 60Co в диапазоне доз 103-2·105 Gy на характеристики фотопреобразования и темновые ВАХ солнечных элементов (СЭ) поверхностно-барьерного типа (Au/GaAs) в зависимости от морфологии микрорельефа границы раздела, создаваемого с целью увеличения эффективности фотопреобразования. Показано, что из двух типов морфологии микрорельефа (дендритный и квазирешеточный), полученных методом химического анизотропного травления (100) поверхности n-GaAs, более перспективным для использования в СЭ, особенно космического назначения, является микрорельеф квазирешеточного типа, поскольку он позволяет получить СЭ с большей эффективностью и радиационной стойкостью.
- Wysocki J. // J. Appl. Phys. 1963. Vol. 34. N 9. P. 2915
- Gebert H., Edmund J. // J. Elecrochem. Soc. 1978. Vol. 125. N 4. P. 678
- Григорьева Г.М., Грилихес В.А., Звягина К.Н. и др. // Гелиотехника. 1989. N 1. С. 8--12
- Бакиров М.Я. // Гелиотехника. 1991. N 6. С. 32--39
- Borkovskaya O.Yu., Dmitruk N.L., Konakova R.V. et al. // Rad. Eff. 1979. Vol. 42. N 3/4. P. 249--251
- Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Конакова Р.В. и др. // ФТП. 1986. Т. 20. Вып. 9. С. 1640--1646
- Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Литовченко В.Г., Мищук О.Н. // ФТП. 1989. Т. 23. Вып. 2. С. 207--212
- Dmitruk N.L., Borkovskaya O.Yu., Mayeva O.I., Mamontova I.B. // Sensors \& Actuators A. 1999. Vol. 75. P. 151--155
- Dmitruk N.L., Borkovskaya O.Yu., Mamontova I.B., Mamykin S.V. // Solar Energy Mater. \& Solar Cells. 2000. Vol. 60. P. 379--390
- Горбач Т.Я., Пидлисный Е.В., Свечников С.В. // Оптоэлектроника и полупроводн. техн. 1988. Вып. 13. С. 34--39
- Борковская О.Ю., Горбач Т.Я., Дмитрук Н.Л., Мищук О.Н. // Электронная техника. Сер. 2. 1989. N 5. С. 50--55.
- Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Войциховский Д.И. и др. // Поверхность. 1999. N 8. C. 87--91
- Dmitruk N.L., Borkovskaya O.Yu., Dmitruk I.N. et al. // Proc. of ICFSI-8. Sapporo, 2001
- Дмитрук Н.Л., Борковская О.Ю., Мамонтова И.Б. // Гелиотехника. 1998. N 5. С. 3--10
- Дмитрук Н.Л., Борковская О.Ю., Мамонтова И.Б. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 6. С. 132--134
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук