Индутный И.З., Шепелявый П.Е., Михайловская Е.В., Парк Ч.В., Ли Дж.Б., До Я.Р.1
1Corporate R&D Center, Samsung SDI Co., Ltd., 575, Shing-Dong, Paldal-Gu, Suwon City, Kyungki-Do, Korea, 442--390
Email: indutnyy@isp.kiev.ua
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
Показана возможность получения с помощью термического испарения в вакууме тонких градиентных покрытий SiOx-Ti (толщина <0.5 mum), характеризующихся низким коэффициентом зеркального отражения (=<1%) в видимой области спектра. Проведены исследования оптических параметров, распределения компонент состава по толщине покрытия. Выполнено моделирование оптических характеристик градиентных слоев, результаты сопоставлены с экспериментальными данными. Показана возможность формирования на основе таких покрытий черных (светопоглощающих) матриц кинескопов и плоских дисплеев.
- Southwell W.H. U.S. Patent N 4934788. 1990
- Hiroshi I. U.S. Patent N 5976639. 1999
- Шепелявый П.Е., Михайловская Е.В., Индутный И.З. и др. // Оптическая техника. 1995. N 2 (6). С. 16--17
- Братусь В.Я., Юхимчук В.А., Бережинский Л.И. и др. // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 7. С. 854--860
- Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1970. 856 с
- Якобсон Р. Физика тонких пленок. Т. 8. М.: Мир, 1978. С. 61--105
- Johnson P.B., Christy R.W. // Phys. Rev. B. 1974. Vol. 9. N 12. P. 5056--5070
- Indutny I.Z., Stetsun A.I. // Proc. SPIE. 1993. Vol. 2113. P. 55--59
- Park C.W., Lee J.B., Do Y.R. et al. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics \& Optoelectronics. 2000. Vol. 3. N 4. P. 496--499
- Cohen R.W., Cody G.D., Coutts M.D. et al. // Phys. Rev. B. 1973. Vol. 8. N 8. P. 3689--3701
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук