Исследовано влияние водорода на фотолюминесценцию и планарную фотопроводимость гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и с островковым слоем Pd на анодноокисленной поверхности. Установлено, что в отличие от нанесения сплошного слоя Pd нанесение островкового слоя не приводит к возникновению дефектов в приповерхностном слоле GaAs, но при этом слой Pd сохраняет высокую каталитическую активность по отношению к водороду. Обнаружены эффекты пассивации дефектов в квантовых ямах атомарным водородом при термообработке таких структур в атмосфере водорода. Исследованы характеристики планарных фоторезисторов с островковым слоем Pd как сенсоров водорода. Установлено, что они имеют почти на 2 порядка более высокую обнаружительную способность к водороду, чем диодные структуры со сплошным слоем Pd.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.