Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фоточувствительные анизотипные гетеропереходы n-ZnSe/p-InSe и n-ZnSe/p-GaSe

Кудринский З.Р.¹, Ковалюк З.Д.¹

¹Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Email: kudrynskyi@gmail.com

Поступила в редакцию: 30 августа 2013 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

PDF версия

Впервые получены анизотипные гетеропереходы n-ZnSe/p-GaSe и n-ZnSe/p-InSe. Гетеропереходы были изготовлены на подложках из слоистых кристаллов GaSe и InSe путем отжига в парах Zn. Установлено, что полученные гетеропереходы являются фоточувствительными в ближней инфракрасной и видимой областях спектра.

Yoffe A.D. // Ann. Rev. Mater. Sci. 1973. Vol. 3. P. 147--170
Terhell J.C.J.M. // Prog. Cryst. Growth Ch. 1983. N 7. P. 55--110
Wisotzki E., Klein A., Jaegermann W. // Thin Sol. Films. 2000. Vol. 380. N 1. P. 263--265
Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Слынько Е.И., Ковалюк З.Д., Литвин О.С. // Письма ЖТФ. 2007. Т. 33. Вып. 2. С. 80--88
Катеринчук В.Н., Кудринский З.Р., Хомяк В.В., Орлецкий И.Г., Нетяга В.В. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 7. С. 935--938
Бакуменко В.Л., Чишко В.Ф. // ФТП. 1977. Т. 11. Вып. 10. С. 2000--2002
Бакуменко В.Л., Ковалюк З.Д., Курбатов Л.Н., Тагаев В.Г., Чишко В.Ф. // ФТП. 1980. Т. 14. Вып. 8. С. 1573--1577
Хандожко В.А., Кудринский З.Р., Ковалюк З.Д. // ФТП. 2014. Т. 48. Вып. 4. С. 564--569
Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Savchuk A.I., Sydor O.M. // Mater. Sci. Engin. 2004. Vol. 109. N 1--3. P. 252--255
Катеринчук В.Н., Кудринский З.Р. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 3. С. 320--323
Jaegermann W., Klein A., Pettenkofer C. In: Electron Spectroscopies Applied to Low-Dimentional Materials: Physics and Chemistry of Materials with Low-Dimentional Structures / Ed. by H.P. Hughes, H.I. Starnberg. Netherlands: Kluwer Academic Publishers, 2002. P. 317--402
Xu M., Liang T., Shi M., Chen H. // Chem. Rev. 2013. Vol. 113. N 5. P. 3766--3798
Бахтинов А.П., Кудринский З.Р., Литвин О.С. // ФТТ. 2011. Т. 53. Вып. 10. С. 2045--2050
Lei S., Ge L., Liu Z., Najmaei S., Shi G., You G., Lou J., Vajtai R., Ajayan P.M. // Nano Lett. 2013. Vol. 13. N 6. P. 2777--2781
Late D.J., Liu B., Luo J., Yan A., Matte H.S.S.R., Grayson M., Rao C.N.R., Dravid V.P. // Advanc. Mater. 2012. Vol. 24. N 26. P. 3549--3554
Hu P.A., Wen Z., Wang L., Tan P., Xiao K. // ACS Nano. 2012. Vol. 6. N 7. P. 5988--5994
Mudd G.W., Svatek S.A., Ren T., Patane A., Makarovsky O., Eaves L., Beton P.H., Kovalyuk Z.D., Lashkarev G.V., Kudrynskyi Z.R., Dmitriev A.I. // Advanc. Mater. 2013. Vol. 25. N 40. P. 5714--5718
Ковалюк З.Д., Политанская О.А., Сидор О.Н., Маслюк В.Т. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 11. С. 1321--1326
Георгобиани А.Н., Шейнкман М.К. Физика соединений A^IIB^VI. М.: Наука, 1986. 320 c
Махний В.П., Мельник В.В., Орлецкий И.Г. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 8. С. 21--25
Makhniy V.P., Khusnutdinov S.V., Gorley V.V. // Acta Phys. Polon. A. 2009. Vol. 116. N 5. P. 859--861
Naval V., Smith C., Ryzhikov V., Naydenov S., Alves F., Karunasiri G. // Advanc. in OptoElectron. 2010. Vol. 2010. P. 619 571(1)--619 571(5)
Rao G.K., Bangera K.V., Shivakumar G.K. // Sol. St. Electron. 2010. Vol. 54. N 8. P. 787--790
Bouhdada A., Hanzaz M., Vigue F., Faurie J.P. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. N 1. P. 171--173
Williams R.H., McEvoy A.J. // J. Vac. Sci. Technol. 1972. Vol. 9. N 2. P. 867--870
Гавриленко В.И., Грехова А.М., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев: Наук. думка, 1987. 608 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель