Представлены результаты экспериментального исследования высокочастотной вольт-фарадной характеристики фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе n⁺-p-перехода с тонкой пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Показано, что вольт-фарадная характеристика определяется поверхностной МДП-структурой, возникающей в результате формирования слоя пористого кремния методом анодного электрохимического травления. Определена эффективная толщина диэлектрического слоя поверхностной МДП-структуры, концентрация примеси в ее полупроводниковой области и плотность поверхностных состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.