Оценка качества GaAs-подложек, используемых для изготовления силовых полупроводниковых приборов
Шульпина И.Л., Ратников В.В., Козлов В.А., Солдатенков Ф.Ю., Войтович В.Е.
Поступила в редакцию: 19 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.
Методами рентгеновской топографии и высокоразрешающей дифрактометрии исследованы пластины GaAs от различных производителей, применяемые в качестве подложек для эпитаксиального роста при производстве силовых полупроводниковых приборов. Характерными особенностями пластин являются нарушенный поверхностный слой, изгиб и ростовые дислокации двух типов распределения с плотностью (1-2)·104 sm-2. Определены лучшая и худшая подложки по подготовке рабочей поверхности, а также оптимальное сочетание рентгеновских методов для оценки качества обработки поверхности кристаллов с высоким уровнем поглощения рентгеновских лучей.
- Kovalsky J., Basler T., Bhojany R., Lutz J., Dudec V., Opalnikov D., Voitovich V. // Proc. of the PCIM Europe, 14--16 May 2013, Nuremberg--Berlin, Offenbach : VDE Verlag GmbH Berlin / Offenbach. 2013. P. 975--981
- Kozlov V.A., Soldatenkov F.Yu., Shulpina I.L., Danilchenko V.G., Korolkov V.I. Defect engineering for carrier lifetime control in high voltage GaAs power diodes. To be presented and published in the Proc. of the 25th SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC 2014), 19--21 May 2014, Saratoga Springs, N. Y. USA
- Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / Под ред. Ж.И. Алфёрова. М.: Советское радио, 1975. 328 с.
- Крессел Г., Нельсон Г. Свойства и применения пленок соединений элементов групп III и V, полученных эпитаксией из жидкой фазы / В кн. под ред. Дж. Хасса и др. "Физика тонких пленок: современное состояние исследований и технические решения". T. VII. М.: Мир, 1977. С. 133--283
- Солдатенков Ф.Ю., Данильченко В.Г., Корольков В.И. // ФТП. 2007. Т. 41. N 2. С. 217
- Боуэн Д.К., Таннер Б.К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Пер. с англ. СПб.: Наука, 2002. 274 с
- Шульпина И.Л., Козлов В.А. // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2013. N 1. С. 28--34.
- Шульпина И.Л. // Кристаллография. 1994. Т. 39. N 2. С. 270--277
- Shul'pina I.L., Argunova T.S. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1995. Vol. 28. P. A47--A49
- O'Hara S., Halliwell M.A.G., Childs J.B. // J. Appl. Cryst. 1972. Vol. 5. N 6. P. 401--406
- Ratnikov V.V., Kyutt R.N., Shubina T.V., Paskova T., Monemar B. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. Vol. 34. N 10A. P. A30--A34
- Rozgonyi G.A., Ciesielka T.J. // Rev. Sci. Instrum. 1973. Vol. 44. P. 1053--1056
- Jida A., Kohra K. // Jap. J. Appl. Phys. 1978. Vol. 17. N 5. P. 963--965
- Кютт Р.Н. // ЖТФ. 1987. Т. 57. С. 178--180.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук