Исследование однородности толщин слоев кремния, выращенных в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии из сублимационного источника
Болдыревский П.Б., Коровин А.Г., Денисов С.А., Светлов С.П., Шенгуров В.Г.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: bpavel2@rambler.ru
Поступила в редакцию: 20 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.
Проведены экспериментальные исследования и теоретические расчеты распределения значений толщины эпитаксиального слоя по площади подложки для процесса осаждения из молекулярного пучка, формируемого в вакууме сублимационным источником. Полученные расчетные данные достаточно хорошо согласуются с экспериментом для молекулярно-лучевой эпитаксии кремния.
- Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / Под ред. Л. Ченга, К. Плога. М.: Мир, 1989. 580 с
- Алфёров Ж.И., Асеев А.Л., Гапонов С.В., Копьев П.С. и др. // Нано- и микросистемная техника. 2003. N 8. С. 3--15
- Болховитянов Ю.Б., Гутаковский А.К., Дерябин А.С., Соколов Л.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. С. 1783--1786
- Постников В.В., Овсянников М.И., Логинова Р.Г. и др. // Докл. АН СССР. 1967. Т. 175. N 4. С. 817--818
- Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Светлов С.П. и др. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 86--89
- Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37 Вып. 13. С. 24--30
- Светлов С.П., Шенгуров В.Г., Толомасов В.А. и др. // Приборы и техника эксперимента. 2001. N 5. С. 137--140
- Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А. и др. // Вакуумная техника и технология. 2011. Т. 21. N 1. С. 45--48
- Венцель Е.С., Овчаров В.А. Теория вероятностей и ее инженерные приложения. М.: Высшая школа, 2000. 480 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
