Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2015, выпуск 3 » Статья стр. 89
<<<>>>
Оптическая диагностика лазерно-индуцированных фазовых превращений в тонких пленках германия на кремнии, сапфире и кварце
Новиков Г.А., Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Файзрахманов И.А., Ивлев Г.Д., Прокопьев С.Л.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: batalov@kfti.knc.ru
Поступила в редакцию: 13 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.
PDF версия
Методом in-situ изучены процессы модификации под действием наноимпульсного излучения рубинового лазера тонких (200-600 nm) пленок германия (Ge), полученных ионно-лучевым или магнетронным распылением на подложки монокристаллического кремния (Si), сапфира (Al2O3) и плавленого кварца (alpha-SiO2). Данные о динамике лазерного воздействия получены оптическим зондированием облучаемой зоны на lambda = 0.53 и 1.06 mum. Результаты зондирования позволили установить пороговые значения плотности энергии лазерного облучения, соответствующие образованию расплава Ge и Si, а также абляционной плазмы Ge в зависимости от количества осажденного Ge и теплофизических параметров подложек. Из осциллограмм отражения R(t) построены зависимости времени существования расплава от плотности энергии лазерных импульсов.
  1. Liu J., Kimerling L.C., Michel J. // Semicond. Sci. Technol. 2012. Vol. 27. P. 094 006
  2. Sun X., Liu J., Kimerling L.C., Michel J. // Appl. Phys. Lett. 2009. Vol. 95. P. 011 911
  3. Kaschel M., Schmid M., Gollhofer M., Werner J., Oehme M., Schulze J. // Sol. Stat. Electr. 2013. Vol. 83. P. 87-91
  4. Liu J., Sun X., Camacho-Aguilera R., Kimerling L.C., Michel J. // Opt. Lett. 2010. Vol. 35. P. 679-681
  5. Camacho-Aguilera R.E., Cai Y., Patel N., Bessette J.T., Romagnoli M., Kimerling L.C., Michel J. // Opt. Expres. 2012. Vol. 20. P. 11 316-11 320
  6. Falk F., Andra G. // J. Cryst. Growth. 2006. Vol. 287. P. 397-401
  7. Ивлев Г.Д., Гацкевич Е.И. // ФТП. 2003. Т. 37. С. 622-628
  8. Baglin J.E.E., Hodgson R.T., Chu W.K., Neri J.M., Hammer D.A., Chen L.J. // Nucl. Instrum. Meth. 1981. Vol. 191. P. 169-176
  9. Gaiduk P.I., Prakopyeu S.L., Zajkov V.A., Ivlev G.D., Gatskevich E.I. // Physica B. 2009. Vol. 404. P. 4708-4711
  10. El Kurdi M., Kociniewski T., Ngo T.-P., Boulmer J., Debarre D., Boucaud P., Damlencourt J.F., Kermarrec O., Bensahel D. // Appl. Phys. Lett. 2009. Vol. 94. P. 191 107
  11. Szyszko W., Vega F., Afonso C.N. // Appl. Phys. A. 1995. Vol. 61. P. 141-147
  12. Yap S.S., Siew W.O., Nee C.H., Reenaas T.W., Tou T.Y. // Thin Sol. Films. 2012. Vol. 520. P. 3266--3270
  13. Ивлев Г.Д., Гацкевич Е.И. // ЖТФ. 2012. Т. 82. С. 69-72

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme