Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурная релаксация стеклообразного GeSe₂ при изотермическом отжиге ниже и выше T_g

Александрович Е.В., Минаев В.С., Тимошенков С.П.¹

¹Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

Email: evalex@udman.ru

Поступила в редакцию: 29 апреля 2014 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами рамановского рассеяния, рентгеновской дифракции и дифференциально-сканирующей калориметрии в температурном диапазоне 300-800 K установлено, что после изотермического отжига порошков стекла GeSe₂ ниже температуры размягчения T_g=635± 2 K фрагменты высокотемпературных полиморфных модификаций, не имеющие дальнего порядка (полиморфоиды HTPM), распадаются и трансформируются в полиморфоиды низкотемпературной модификации (LTPM) с экзотермическим эффектом. Высокая концентрация в стекле полиморфоидов LTPM и их стабилизация при отжиге ниже T_g способствуют упорядочению и появлению областей когерентного рассеяния от низкотемпературной alpha-GeSe₂ (3D-формы). При отжиге выше T_g происходит обратная трансформация полиморфоидов LTPM -> HTPM с эндотермическим эффектом, приводящая к доминированию в стеклообразном GeSe₂ полиморфоидов HTPM beta-GeSe₂ (2D-формы), и их кристаллизация.

Ibrahim M.M., Balboul M.R., Fayek S.A., Soliman M.A. // J. Non-Cryst. Solids. 2011. Vol. 357. N 10. P. 2035-2038
Лю Цюнь-хуа, Пашинкин А.С., Новоселова А.В. // ЖНХ. 1962. Т. 7. N 9. С. 2159-2161
Dittmar G., Schafer H. // Acta Crystallogr. (B). 1976. Vol. 32. P. 2726--2728
Блецкан Д.И., Герасименко В.С., Сичка М.Ю. // Кристаллография. 1979. Т. 24. N 1. С. 83--89
Popovic Z.V., Stolz H.J. // Phys. Stat. Sol. B. 1981. Vol. 108. N 1. P. 153-163
Popovic Z.V., Gajic R. // Phys. Rev. (B). 1986. Vol. 33. N 8. P. 5878--5879
Inoue K.K., Matsuda O, Murase K. // Sol. Stat. Commun. 1991. Vol. 79. P. 905--910
Bridenbaugh P.M., Espinosa G.P., Griffiths J.E., Phillips J.C., Remeika J.P. // Phys. Rev. B. 1979. Vol. 20. N 10. P. 4140-4144
Sakai K., Uemoto T., Yokoyama H., Fukuyama A., Yoshino K.T., Ikari T, Maeda K. // J. Non-Cryst. Sol. 2000. Vol. 266-269. P. 933-937
Sakai K., Maeda K., Yokoyama H., Ikari T. // J. Non-Cryst. Sol. 2003. Vol. 320. P. 223--230
Sakai K., Yoshino K., Fukuyama A., Yokoyama H., Ikari T., Maeda K. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. Vol. 39. P. 1058--1061
Inoue K., Kawamoto K., Murase K. // J. Non-Cryst. Sol. 1987. Vol. 95--96. P. 517--524
Minaev V.S., Timoshenkov S.P., Kalugin V.V., Kovalev S.I., Novikov S.N., Vasiliev V.P. // J. Optoelectron. Adv. Mater. 2009. Vol. 11. N 12. P. 1950--1953
Minaev V.S., Timoshenkov S.P., Kalugin V.V. // J. Optoelectron. Adv. Mater. 2011. Vol. 13. N 11--12. P. 1393--1399
Minaev V.S., Timoshenkov S.P., Kalugin V.V., Novikov S.N. // Adv. Mater. Research. 2008. Vol. 39--40. P. 123--125
Тамман Г. Стеклообразное состояние. / М.-Л.: ОНТИ, 1935. 136 с
Виноградова Г.З. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. Двойные и тройные системы / Под ред. В.Б. Лазарева. М.: Наука, 1984. 176 с
Murase K., Inoue K. Desordered semiconductors / Ed. By M.A. Kastner, G.A. Thomas, S.R. Ovshinsky. NY: Plenum, 1987. 297 p
Matsuda O., Inoue K., Nakane T. and Murase K. // J. Non-Cryst. Sol. 1992. Vol. 150. N 1--3. P. 202--206
Kumagai N., Shirafuji J., Inuishi Y. // J. Phys. Soc. Jpn. 1977. Vol. 42. P. 1262--1268
Inoue K., Matsuda O., Murase K. // J. Non-Cryst. Sol. 1992. Vol. 150. N 1--3. P. 197--201
Goyal D.R., Maan A.S. // J. Non-Cryst. Sol. 1995. Vol. 183. P. 182--185
Wang Y., Murase K. // J. Non-Cryst. Sol. 2003. Vol. 326--327. P. 379--384
Popovic Z.V., Jaksic Z., Raptis Y.S., Anastassakis E. // Phys. Rev. (B). 1998. Vol. 57. N 6. P. 3418--3422
Mitkova M., Kozicki M.N., Kim H.C., Alford T.L. // J. Non-Cryst. Sol. 2006. Vol. 352. P. 1986--1990
Александрович Е.В., Степанова Е.В., Вахрушев А.В., Александрович А.Н., Булатов Д.Л. // ЖТФ. 2013. Vol. 83. N 9. P. 50--55

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель