Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2015, выпуск 5 » Статья стр. 50
<<<>>>
Создание устойчивых зарядовых областей в массиве Ge-нанокристаллитов внутри SiO2 с помощью электростатической силовой микроскопии
Дунаевский М.С., Алексеев П.А., Дементьев П.А., Гущина Е.В., Берковиц В.Л., Lahderanta E., Титков А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.
PDF версия
Исследованы Ge-нанокристаллиты, получаемые внутри SiO2 методом ионной имплантации с последующим высокотемпературным отжигом. С помощью сканирующей зондовой микроскопии выполнена локальная зарядка Ge-нанокристаллитов, находящихся внутри тонкого (30 nm) термического окисла SiO2, с последующей визуализацией и анализом получаемых зарядовых областей. Показана возможность создания под зондом атомно-силового микроскопа устойчивых во времени зарядовых областей диаметром до 30 nm, состоящих из нескольких заряженных Ge-нанокристаллитов. Кроме того, показано, что способность слоя Ge-нанокристаллитов удерживать внесенный заряд оказывается чрезвычайно чувствительной к расстоянию между соседними Ge-нанокристаллитами и наличию дефектных центров в SiO2. Последнее обстоятельство объясняется тем, что уход зарядов из Ge-нанокристаллитов происходит либо путем туннелирования между соседними нанокристаллитами, либо путем туннелирования через дефектные центры в SiO2.
  1. Tiwary S., Rana F., Hanafi H., Hartstein A., Crabbe E., Chan K. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 68. P. 1377
  2. Das K., NandaGoswami M., Mapharatra R., Kar G.S., Dhar A., Acharya H.N., Maikap S., Lee Je-Hun, Ray S.K. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84. P. 1386
  3. Степина Н.П., Кириенко В.В., Двуреченский А.В., Амбристер В.А. Материалы VIII Российской конференции "Полупроводники-2007". Екатеринбург. 30сентября--5октября. 2007. 415 с
  4. Дунаевский М.С., Титков А.Н., Ларкин С.Ю., Спешилова А.Б., Bonafos C., Claverie A., Laiho R. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33. С. 80
  5. Boer E., Brongersma M., Atwater H., Flagan R., Bell L. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79. P. 791
  6. Ng C.Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 86. P. 152 110
  7. DianouxR. et al. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 71. P. 125 303
  8. Stepina N.P., Dvurechenskii A.V., Armbrister V.A., Kesler V.G., Novikov P.L., Gutakovkii A.K., Kirienko V.V., SmaginaZh.V., Groetzschel R. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. P. 133 120
  9. Bonafos C., Carrada M., Cherkashin N., Coffin H., Chassaing D., Ben Assayag G., Claverie A. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 95. P. 5696
  10. Coffin H. et al. // J. Appl. Phys. 2006. Vol. 99. P. 044 302
  11. Ben Assayag G., Bonafos C., Carrada M., Claverie A., Normand P., Tsoukalas D. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 82. P. 200
  12. Jacobs H.O. et al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. P. 1168
  13. Colchero J. et al. // Phys. Rev. B. 2001 Vol. 64. P. 245 403

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme