Исследованы Ge-нанокристаллиты, получаемые внутри SiO₂ методом ионной имплантации с последующим высокотемпературным отжигом. С помощью сканирующей зондовой микроскопии выполнена локальная зарядка Ge-нанокристаллитов, находящихся внутри тонкого (30 nm) термического окисла SiO₂, с последующей визуализацией и анализом получаемых зарядовых областей. Показана возможность создания под зондом атомно-силового микроскопа устойчивых во времени зарядовых областей диаметром до 30 nm, состоящих из нескольких заряженных Ge-нанокристаллитов. Кроме того, показано, что способность слоя Ge-нанокристаллитов удерживать внесенный заряд оказывается чрезвычайно чувствительной к расстоянию между соседними Ge-нанокристаллитами и наличию дефектных центров в SiO₂. Последнее обстоятельство объясняется тем, что уход зарядов из Ge-нанокристаллитов происходит либо путем туннелирования между соседними нанокристаллитами, либо путем туннелирования через дефектные центры в SiO₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.