Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термоинжекционная электрическая неустойчивость в мультибарьерных гетероструктурах. Теоретическая модель и экспериментальные результаты

Гергель В.А.¹, Алтухов И.В.¹, Верховцева А.В.¹, Галиев Г.Б.¹, Горшкова Н.М.¹, Зеленый А.П.¹, Ильичев Э.А.¹, Минкин В.С.¹, Папроцкий С.К.¹

¹Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: gergel@cpline

Поступила в редакцию: 23 июня 2014 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сформулировано упрощенное теоретическое описание термоинжекционной электрической неустойчивости в мультибарьерных гетероструктурах в терминах внутренней положительной обратной связи в каждом элементарном звене рассматриваемого гетерообъекта. В простейшей ситуации, отвечающей последовательности равновысоких гетеробарьеров, в качестве элементарного звена выбрана пара прилегающих друг к другу широкозонного и узкозонного слоев. Получены аналитические выражения для зависимостей тока и напряжения на структуре от электронной температуры на инжектирующей границе гетеробарьера и соответствующие бистабильные вольт-амперные характеристики. Приведена одна из типичных вольт-амперных характеристик с ярко выраженным участком отрицательного сопротивления, полученных в серии квазистатических, электрических измерений тестовых образцов, представляющих собой мультибарьерные мезаструктуры 1212 mum в системе GaAs/AlGaAs.

Гергель В.А., Зеленый А.П., Якупов М.Н. // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 3. С. 325-330
Гергель В.А., Зеленый А.П., Якупов М.Н. // РиЭ. 2007. Т. 52. N 7. С. 862-868
Грундман М. Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения. 2-е изд. / Пер. с англ. под ред. В.А. Гергеля. М.: Физматлит, 2012. 772 с
Stratton R. // Phys. Rev. 1962. Vol. 126. N 6. P. 2002
Гергель В.А., Верховцева А.В., Горшкова Н.М., Якупов М.Н. // РиЭ. 2012. Т. 57. N 4. С. 481-484

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель