Вышедшие номера
Осаждение сверхтвердых Ti-Si-N-покрытий методом импульсного сильноточного реактивного магнетронного распыления
Оскомов К.В., Захаров А.Н., Работкин С.В., Соловьев А.А.1
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Email: oskomov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 12 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Представлены результаты исследований свойств сверхтвердых Ti-Si-N-покрытий, осажденных методом импульсного сильноточного магнетронного реактивного распыления (напряжение импульса разряда 300-900 V, ток импульса разряда до 200 A, длительность импульса разряда 10-100 mus, частота повторения импульсов 20-2000 Hz). Показано, что при короткой длительности импульса распыления (25 mus) и большем токе разряда (160 A) пленки обладают высокой твердостью (66 GPa), износостойкостью, лучшей адгезией и более низким коэффициентом трения скольжения. Причиной этого является увеличение ионной бомбардировки растущего покрытия за счет более высокой плотности плазмы в районе подложки (1013 cm-3) и многократное повышение степени ионизации плазмы с ростом пикового тока разряда, причем, преимущественно за счет распыляемого материала.