Моделирование процесса электроформовки униполярной переключательной структуры с памятью Pt/NiO/Pt
Cысун В.И.1, Сысун И.В.1, Борисков П.П.1
1Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия e-mail: boriskov
Поступила в редакцию: 10 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
Проанализированы экспериментальные данные переходного термического процесса электрической формовки униполярной переключательной структуры с памятью Pt/NiO/Pt. Численное моделирование этого процесса показало, что канал можно идентифицировать с областью проплавления оксида никеля, где его сечение определяется максимальным током пробоя, существенный вклад в который может вносить паразитная емкость. Для оценок параметров формирования канала приведены приближенные аналитические аппроксимации.
- Burr G.W., Kurdi B.N., Scott J.C., Lam C.H., Gopalakrishnan K., Shenoy R.S. // IBM J. Res. Develop. 2008. Vol. 52. P. 449-464
- Sawa A. // Materials Today. 2008. Vol. 11. P. 28-36
- Waser R. // Nature Materials. 2007. V.6. P. 833-840
- Wong H.-S. P., Lee H.Y., Yu S., Chen Y.S., Wu Y., Chen P.S., Lee B., Chen F.T., Tsai M.J. // Proceedings of the IEEE. 2012. V. 100. N 6. P. 1951-1970
- Son J.Y., Shin Y.-H. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 222 106
- Ang R., Chen T.P., Lin Z., Wong J.I., Yi M.D., Yang M., Cen Z.H., Zhu S., Zhu W., Goh E.S.M. // Appl. Phys. Lett. 2009. Vol. 95. P. 012 104
- Klein N. // In Advances in Electronics and Electron Physics. 1969. Vol. 26. P. 309-424
- Fujiwara K., Nemoto T. // Jap. Journal of Appl. Phys. 2008. Vol. 47. P. 8
- Jung K., Kim Y., Hyunsik W.J., Baeho I., Hong P.J., Lee J., Park J., Lee J.K. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 97. P. 233509-1 233509-3
- Куликов В.Д. // Письма в ЖТФ. 2000.Т. 26. N 4. С. 77-82
- Воробьев Г.А., Еханин С.Г., Несмелов Н.С. // ФТТ. 2005. Т. 47. N 6. С. 1048-1052
- Dearnaley G., Morgan D.V., Stomeham A.M. // J. Non-Crystal Solids. 1970. Vol. 4. P. 593
- Berg F.H., Pagnia H., Sotnik N. // Phys. Stat. Sol. A. 1986. Vol. 95. P. 91
- Cagli C., Nardi F., Ielmini D. // IEEE Transection on Electron Devices. 2009. Vol. 56. N 8. P. 1712-1720
- Kinoshita K., Tsunoda K., Sato Y., Noshiro H., Yagaki S., Aoki M., Sugiyama Y. // Appl. Phys. Lett. 2008. Vol. 93. P. 033 506
- Nardi F., Ielmini D., Cagli C., Spiga S., Fanciulli M., Goux L., Wonter D.J. // Sol. Stat. Electronics. 2011. Vol. 58. P. 42-47
- Lee M.-J., Kim S. I., Lee C.B., Yin H., Ahn S.-E., Kang B.S, Kim K.H., Park J.C., Kim C.J., Song I., Kim S.W., Stefanovich G.B., Lee J.H., Chung S.J., Kim Y.H., Park Y. // Adv. Funct. Mater. 2009. Vol. 19. P. 1587-1593
- Беляев Н.М., Рядно А.А. Методы теории теплопроводности. М.: Высшая школа. 1982. Ч. I. 327 с
- de Vries J.W.C. // Thin Solid Films. 1987. Vol. 150. P. 209-215
- Kim S.I., Lee Joe H., Chang J.W., Hwang S.S., Joo K.-H. // Appl. Phys. Lett. 2008. Vol. 93. P. 033 503
- Ou M.N., Yang T.J., Harutyunyan S.R., Chen Y.Y., Chen C.D., Lai S.J. // Appl. Phys. Lett. 2008. Vol. 92. P. 063 101
- Самсонова Г.В. Физико-химические свойства окислов. Справочник. М.: Металлургия. 1978. 476 c
- Зиновьев В.Е. Теплофизические свойства металлов при высоких температурах. Справочник. М.: Металлургия, 1989. 384 c
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук