Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2016, выпуск 7 » Статья стр. 15
<<<>>>
Исследование влияния соотношения потоков V/III на процессы субмонослойной эпитаксии GaAs/GaAs(001) методом Монте-Карло
Российский научный фонд, 15-19-10006
Агеев О.А. 1, Солодовник М.С. 1, Балакирев С.В. 1, Михайлин И.А. 1
1Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
Email: ageev@sfedu.ru, solodovnikms@sfedu.ru, s.v.balak@gmail.com, ilmikhaylin@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 августа 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.
PDF версия
Методом Монте-Карло проведено моделирование влияния соотношения потоков V/III на субмонослойный рост GaAs на поверхности GaAs(001) при различных технологических параметрах метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассчитаны зависимости поверхностной плотности островков от соотношения потоков V/III. Значение насыщения поверхностной плотности при температуре 580oC составило 2·1012 cm-2, что согласуется с экспериментальными данными. Наибольшее влияние соотношения потоков V/III на плотность островков обнаружено при пониженной температуре (550oC) и повышенной скорости роста (1 монослой в секунду), когда снижена десорбция мышьяка. Проведена оценка доли атомов мышьяка в растущей пленке при различных технологических режимах. Показано, что с увеличением степени заполнения поверхности влияние соотношения потоков V/III на долю атомов мышьяка ослабевает.
  1. Воловик Б.В., Сизов Д.С., Цацульников А.Ф., Мусихин Ю.Г., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Егоров В.А, Петров В.Н., Поляков Н.К., Цырлин Г.Э // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 11. С. 1368-1372
  2. Reyes K., Smereka P., Nothern D., Millunchick J.M., Bietti S., Somaschini C., Sanguinetti S., Frigeri C. // Phys. Rev. B. 2013. Vol. 87. P. 165 406
  3. Kawaharazuka A., Yoshiba I., Horikoshi Y. // Appl. Surf. Sci. 2008. Vol. 255. N 3. P. 737-739
  4. LaBella V.P., Bullock D.W., Ding Z., Emery C., Harter W.G., Thibado P.M. // J. Vac. Sci. Tech. A. 2000. Vol. 18. N 4. P. 1526-1531
  5. Ledentsov N.N., Grundmann M., Kirstaedter N., Schmidt O., Heitz R., Bohrer J., Bimberg D., Ustinov V.M., Shchukin V.A., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Ruvimov S.S., Kosogov A.O., Werner P., Richter U., Gosele U., Heydenreich J. // Sol. St. Electron. 1996. Vol. 40. P. 785-798
  6. Riel B.J., Hinzer K., Moisa S., Fraser J., Finnie P., Piercy P., Fafard S., Wasilewski Z.R. // J. Cryst. Growth. 2002. Vol. 236. P. 145-154
  7. Morgan C.G., Kratzer P., Scheffler M. // Phys. Rev. Lett. 1999. Vol. 82. N 24. P. 4886-4889
  8. Murdick D.A., Wadley H.N.G., Zhou X.W. // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75. P. 125 318
  9. Shiraishi K., Ito T. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 57. N 11. P. 6301-6304
  10. Amrani A., Djafari Rouhani M., Mraoufel A. // Appl. Nanosci. 2011. Vol. 1. P. 59-65
  11. Kangawa Y., Ito T., Taguchi A., Shiraishi K., Irisawa T., Ohachi T. // Appl. Surf. Sci. 2002. Vol. 190. P. 517-520
  12. Kratzer P., Scheffler M. // Phys. Rev. Lett. 2002. Vol. 88. N 3. P. 036 102
  13. Kratzer P., Penev E., Scheffler M. // Appl. Phys. A. 2002. Vol. 75. P. 79-90
  14. Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э. // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 11. С. 1312-1319
  15. Kley A., Ruggerone P., Scheffler M. // Phys. Rev. Lett. 1997. Vol. 79. N 26. P. 5278
  16. Pashley M.D. // Phys. Rev. B. 1989. Vol. 40. P. 10 481
  17. Daweritz L., Ploog K. // Semicond. Sci. Tech. 1994. Vol. 9. N 2. P. 123-136
  18. Foxon C.T., Joyce B.A. // Surf. Sci. 1977. Vol. 64. P. 293
  19. Tok E.S., Neave J.H., Zhang J., Joyce B.A., Jones T.S. // Surf. Sci. 1997. Vol. 374. P. 374
  20. Avery A.R., Dobbs H.T., Holmes D.M., Joyce B.A., Vvedensky D.D. // Phys. Rev. Lett. 1997. Vol. 79, P. 3938-3941
  21. Tok E.S., Neave J.H., Allegretti F.E., Zhang J., Jones T.S., Joyce B.A. // Surf. Sci. 1997. Vol. 371. P. 277-288
  22. Garcia J.C., Neri C., Massies J. // J. Cryst. Growth. 1989. Vol. 98. P. 511-518
  23. Foxon C.T., Joyce B.A. // Surf. Sci. 1975. Vol. 50. P. 434-450
  24. Kratzer P., Morgan C.G., Scheffler M. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 59. P. 15 246
  25. Banse B.A., Creighton J.R. // Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 60. P. 856
  26. Nishinaga T., Shen X.Q. // Appl. Surf. Sci. 1994. Vol. 82-83. P. 141
  27. Nishinaga T. // Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 2004. Vol. 48-49. P. 104-122
  28. Higuchi Y., Uemura M., Masui Y., Kitada T., Shimomura S., Hiyamizu S. // J. Cryst. Growth. 2003. Vol. 251. P. 80-84
  29. Tatsuoka Y., Kamimoto H., Kitano Y., Kitada T., Shimomura S., Hiyamizu S. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1999. Vol. 17. N 3. P. 1155-1157
  30. Itoh M., Bell G.R., Joyce B.A., Vvedensky D.D. // Surf. Sci. 2000. Vol. 464. P. 200
  31. Itoh M., Bell G.R., Avery A.R., Jones T.S., Joyce B.A., Vvedensky D.D. // Phys. Rev. Lett. 1998. Vol. 81. N 3. P. 633-636
  32. Балакирев С.В., Блинов Ю.Ф., Солодовник М.С. // Известия ЮФУ. Технические науки. 2014. N 9(158). С. 93-105

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme