Разделение угловой и энергетической релаксации неравновесных электронов в твердом теле
Бакалейников Л.А.1, Тропп Э.А.1, Флегонтова Е.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bakal.ammp@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.
Показано, что интеграл столкновений кинетического уравнения при взаимодействии горячих электронов с фононами может быть разбит на части, соответствующие упругим и неупругим столкновениям, причем величины этих частей могут существенно отличаться. Это справедливо, в частности, для электронов с энергиями порядка 1 eV, распространяющихся в полупроводниках. Различие характерных времен релаксации по импульсу и энергии позволяет разделить процессы угловой и энергетической релаксации. Если дифференциальное сечение упругого рассеяния зависит не от угла рассеяния, а от направлений падающего и рассеянного электронов, что реализуется, например, при взаимодействии электрона с пьезоэлектрическими колебаниями решетки в соединениях AIIIBV, то лапласиан в уравнении, описывающем пространственное и энергетическое распределения электронов, заменяется эллиптическим оператором, т. е. диффузия электронов оказывается анизотропной.
- Бакалейников Л.А., Тропп Э.А. // ЖТФ. 1986. Т. 56. Вып. 1. С. 16--26
- Бакалейников Л.А., Тропп Э.А. // В кн.: Методы рентгеноспектрального анализа", Новосибирск: Наука, 1986. С. 111--120
- Bakaleinikov L.A., Tropp E.A. // X-Ray Spectrometry. 1994. Vol. 23. P. 125--129
- Бакалейников Л.А., Конников С.Г., Погребицкий К.Ю., Сайфидинов Д.Ж., Тропп Э.А., Юрьев Ю.Н. // ЖТФ. 1994. Т. 64. Вып. 4. С. 9--16
- Бакалейников Л.А. Автореф. дис. на соискание уч. степени докт. физ.-мат. наук. Санкт-Петербург, 2013
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с
- Воробьев Л.Е., Данилов С.Н., Ивченко Е.Л., Левинштейн М.Е., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах. СПб.: Наука, 2000. 157 с
- Воробьев Л.Е. Механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках: Учебное пособие. Л.: ЛПИ, 1988. 99 с
- Vasileska D., Goodnick S.M. // Materials Science and Engineering R. 2002. Vol. 38. P. 181--236
- Тропп Э.А. Автореф. дис. на соискание уч. степени докт. физ.-мат. наук. Л., 1984
- Градштейн И.С., Рыжик И.М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. Изд. 4-е, перераб. М.: Государственное издательство физико-математической литературы, 1963
- Варшалович Д.А., Москалев А.Н., Херсонский В.К. Квантовая теория углового момента. Л.: Наука, 1975
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.