Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности механизмов токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с n⁺-p-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния

DOI: 10.21883/jtf.2016.11.43820.1835

Трегулов В.В.¹, Степанов В.А.¹, Литвинов В.Г.², Ермачихин А.В.²

¹Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия Ryazan State University named for S. Yesenin, Ryazan, Russia

²Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия Ryazan State Radio Engineering University, Ryazan, Russia

Email: trww@yandex.ru, vl.stepanov@rsu.edu.ru, vglit@yandex.ru, al.erm@mail.ru

Поступила в редакцию: 5 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

PDF версия

Исследована температурная зависимость прямых и обратных ветвей вольт-амперной характеристики полупроводниковой структуры фотоэлектрического преобразователя с n⁺-p-переходом на основе монокристаллического кремния и антиотражающей пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Обнаружено наличие нескольких механизмов токопрохождения. Установлено, что на процессы токопрохождения в исследуемой полупроводниковой структуре существенное влияние оказывают ловушки, возникающие при формировании пленки пористого кремния.

Chaoui R., Messaoud A. // Desalination. 2007. Vol. 209. P. 118-121
Hyukyong Kwon, Jaedoo Lee, Minjeong Kim, Soohong Lee // ISRN Nanotechnology. 2011. Vol. 2011. Article ID 716409. P. 1-4
Handbook of Porous Silicon./ Ed. by L. Canham. Springer International Publishing, 2014. 1017 p
Трегулов В.В. // ЖТФ. 2014. Т. 84. Вып. 9. С. 153-154
Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с
Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. 456 с
Шарма Б.Л. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио, 1979. 232 с
Евтух А.А., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Семененко Н.А. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 2. С. 180-184
Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов. М.: Высш. шк., 1987. 479 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель