Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности механизмов токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с n+-p-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния
1Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия 
2Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
Email: trww@yandex.ru, vl.stepanov@rsu.edu.ru, vglit@yandex.ru, al.erm@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
Исследована температурная зависимость прямых и обратных ветвей вольт-амперной характеристики полупроводниковой структуры фотоэлектрического преобразователя с n+-p-переходом на основе монокристаллического кремния и антиотражающей пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Обнаружено наличие нескольких механизмов токопрохождения. Установлено, что на процессы токопрохождения в исследуемой полупроводниковой структуре существенное влияние оказывают ловушки, возникающие при формировании пленки пористого кремния.
- Chaoui R., Messaoud A. // Desalination. 2007. Vol. 209. P. 118-121
- Hyukyong Kwon, Jaedoo Lee, Minjeong Kim, Soohong Lee // ISRN Nanotechnology. 2011. Vol. 2011. Article ID 716409. P. 1-4
- Handbook of Porous Silicon./ Ed. by L. Canham. Springer International Publishing, 2014. 1017 p
- Трегулов В.В. // ЖТФ. 2014. Т. 84. Вып. 9. С. 153-154
- Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с
- Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. 456 с
- Шарма Б.Л. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио, 1979. 232 с
- Евтух А.А., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Семененко Н.А. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 2. С. 180-184
- Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов. М.: Высш. шк., 1987. 479 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
