Изучены процессы формирования макроскопических состояний сверхпроводящей ленты, индуцируемые при крипе магнитного потока транспортным током. Показано существование характерных значений напряженности электрического поля, зависящих от скорости ввода тока, свойств сверхпроводника, условий охлаждения и свойств стабилизирующей матрицы, которые лежат в основе теплоэлектродинамических механизмов, влияющих на крутизну нарастания вольт-амперных характеристик технических сверхпроводников. Исследованы условия возникновения токовых неустойчивостей с учетом неравномерного распределения температуры по сечению технического сверхпроводника. Сформулированы условия существования вольт-амперных характеристик технических сверхпроводников, допускающие стабильный нагрев сверхпроводника до температуры, равной критической. Результаты проведенного исследования необходимо учитывать при измерении вольт-амперных характеристик сверхпроводящих материалов, определении их критических параметров и тока возникновения неустойчивости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.