Исследовалось влияние облучения ионами железа на эволюцию газовой пористости в монокристаллах кремния. Газовая пористость создавалась имплантацией при комнатной температуре ионов водорода, дейтерия и гелия с энергиями 17, 12.5 и 20 keV соответственно одинаковыми дозами 1x10¹⁷ cm^-2 при комнатной температуре. При таких энергиях бомбардирующих ионов профили ионного легирования формировались на одном расстоянии от облучаемой поверхности образца. После чего образцы облучались при комнатной температуре ионами железа Fe¹⁰⁺ с энергией 150 keV дозой 5.9· 10¹⁴ cm^-2. Затем на воздухе проводились получасовые изохронные отжиги с интервалом 50^oC в диапазоне температур от 250 до 900^oC. Исследование образцов проводилось на оптическом и электронном микроскопах. Был обнаружен крайне сильный синергетический эффект влияния последовательного облучения ионами газов и ионами железа образцов монокристаллического кремния при комнатной температуре на зарождение и рост газовой пористости в процессе послерадиационного отжига. Так, было показано, что аморфный слой в кремнии, сформированный дополнительным облучением ионами железа, стимулирует развитие гелиевых блистеров, незначительно уменьшает развитие водородных блистеров и полностью подавляет развитие дейтериевых блистеров. Полученные результаты не позволяют в настоящий момент сформулировать сколько-нибудь адекватного объяснения причин такого различия, необходимы дополнительные целенаправленные эксперименты. DOI: 10.21883/JTF.2017.02.44129.1801

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.