Вышедшие номера
Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах
Шиляев А.В.1, Мынбаев К.Д.1,2, Баженов Н.Л.1, Грешнов А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: vozzdooh@gmail.com
Поступила в редакцию: 5 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Экспериментально исследована фотолюминесценция эпитаксиальных структур на основе узкозонных твердых растворов CdHgTe и установлено наличие в структурах масштабных флуктуаций состава, локализующих носители заряда. Предложена модель, описывающая влияние флуктуаций на скорость излучательной рекомбинации, форму спектров люминесценции и положение их пика. Модель описывает транспорт и рекомбинацию носителей в условиях сильной неоднородности состава твердого раствора и показывает, как локализация носителей проявляется в особенностях спектров люминесценции. DOI: 10.21883/JTF.2017.03.44249.1832