Моделирование сенсорного отклика вакуумметров с чувствительными элементами на основе многокомпонентных оксидных наноматериалов с фрактальной структурой
Аверин И.А.1, Игошина С.Е.1, Карманов А.А.1, Пронин И.А.1, Мошников В.А.2,3, Теруков Е.И.4
1Пензенский государственный университет, Пенза, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nano-micro@mail.ru
Поступила в редакцию: 8 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.
Предложена математическая модель сенсорного отклика вакуумметров с чувствительными элементами на основе широкозонных полупроводниковых оксидов n- и p-типов электропроводности, а также многокомпонентных оксидных систем. Продемонстрирована ее адекватность при описании зависимости сопротивления наноматериалов, синтезируемых золь-гель методом и имеющих структуру сферических агрегатов фрактальной природы, от давления окружающей среды. Показано, что разработанная модель с учетом поправок может быть использована для качественного описания сенсорного отклика наноматериалов на основе двухкомпонентных оксидных систем SiO2-SnO2, имеющих лабиринтную структуру. DOI: 10.21883/JTF.2017.05.44456.2091
- Shilova O.A.// Glass Technol. 2004. N 45. P. 1--3
- Komolov A.S., Gerasimova N.B., Lazneva E.V., Komolov S.A., Buzin I.Z. // Rus. J. Appl. Chem. 2010. Vol. 83. N 5. P. 835--840
- Moshnikov V.A., Gracheva I.E., Kuznezov V.V., Maximov A.I., Karpova S.S., Ponomareva A.A. // J. Non-Crystal. Sol. 2010. Vol. 356. N 37--40. P. 2020--2025
- Мошников В.А., Налимова С.С., Селезнев Б.И. // ФТП. 2014. Т. 48. Вып. 11. С. 1535--1539
- Федотова М.П., Воронова Г.А., Емельянова Е.Ю., Радишевская Н.И., Водянкина О.В. // ЖФХ. 2009. Т. 83. N 8. С. 1539--1543
- Пронин И.А., Канева Н.В., Божинова А.С., Аверин И.А., Папазова К.И., Димитров Д.Ц., Мошников В.А. // Кинетика и катализ. 2014. Т. 55. N 2. С. 176--180
- Ярославцев А.Б. // Успехи химии. 2009. Т. 78. N 11. С. 1094--1112
- Chang S.-J., Hsueh T.-J., Hsu C.-L., Lin Y.R., Chen I.-C., Huang B.-R. // Nanotechnology. 2008. Vol. 19. P. 095505
- Liming Wu, FangFang Song, Xuxiong Fang, Zhi-Xin Guo, Liang S. // Nanotechnology. 2010. Vol. 21. P. 475502
- Капустянык В.Б., Панасюк М.Р., Турко Б.И., Дубов Ю.Г., Сэркиз Р.Я. // ФТП. 2014. Т. 48. Вып. 10. С. 1430--1433
- Аверин И.А., Игошина С.Е., Мошников В.А., Карманов А.А., Пронин И.А., Теруков Е.И. // ЖТФ. 2015. Т. 85. Вып. 6. С. 143--147
- Zheng X.J., Cao X.C., Sun J., Yuan B., Li Q.H., Zhu Z., Zhang Y. // Nanotechnology. 2011. Vol. 22. P. 435501
- Васильев Р.Б., Рябова Л.И., Румянцева М.Н., Гаськов А.М. // Успехи химии. 2004. Т. 73. N 10. С. 1019--1038
- Кривецкий В.В., Румянцева М.Н., Гаськов А.М. // Успехи химии. 2013. Т. 82. N 10. С. 917--941
- Игошина С.Е., Аверин И.А., Карманов А.А. // Вестн. Рязанского гос. радиотехнического ун-та. 2014. N 48. С. 115--119
- Pronin I.A., Goryacheva M.V. // Surf. Coatin. Technol. 2013. Vol. 235. P. 835--840
- Кисин В.В., Сысоев В.В., Ворошилов С.А., Симаков В.В. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 3. С. 314--317
- Жюльен Р. // УФН. 1989. Т. 157. N 2. С. 339--357
- Автореф. канд. дис. Румянцева М.Н. Химическое модифицирование и сенсорные свойства нанокристаллического диоксида олова М.: 2009. 328 с
- Zima A., Kock A., Maier T. // Microelectron. Engineer. 2010. Vol. 87. P. 1467--1470
- Gopel W., Hesse J., Zemel J.N. (eds). Sensors and Start" Molecular Nanostructures: Component for Future Information Technologies, Sensors. Weinheim: VCH, 1995. Vol. 8. 295 p
- Автореф. канд. дис. Сысоев В.В. Мультисенсорные системы распознавания газов на основе металло-оксидных тонких пленок и наноструктур. Саратов: 2009. 364 с
- Fort. A., Mugnaini M., Rocchi S., Serrano-Santos M.B., Vignoli V., Spinicci R. // Sensors and Actuators B. 2007. Vol. 124. P. 245--259
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.