Сверхбыстрое - субнаносекундное переключение высоковольтного диодного обострителя импульсов из блокирующего в проводящее состояние производится путем приложения к нему импульса перенапряжения со скоростью нарастания ~ 10¹² V/s в блокирующем направлении. Образующийся при этом ударно-ионизационный фронт производит заполнение электронно-дырочной плазмой базовой области диода, переводя его в проводящее состояние. При этом принципиально важно предотвратить возможность пробоя по поверхности диодной структуры при перенапряжении. В работе представлены первые результаты исследования принципиально новой конструкции диодного обострителя импульсов, позволяющей полностью исключить деградацию краевого контура при импульсном перенапряжении. Проведенные эксперименты подтвердили работоспособность этой конструкции и перспективность работ по выяснению ее предельных возможностей. DOI: 10.21883/JTF.2017.05.44459.1993

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.