Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2017, выпуск 9 » Статья стр. 1389
<<<>>>
Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства
DOI: 10.21883/JTF.2017.09.44915.1988
Минобрнауки России, Проектная часть государственного задания, 8.1751.2017/ПЧ
РФФИ, Инициативные научные проекты, 15-02-07824
РФФИ, Инициативные научные проекты, 16-07-01102
РФФИ, Научные исследования под руководством ведущих учёных, 15-38-20642мол_а_вед
Минобрнауки России, Грант Президента РФ, МК- 8221.2016.2
Дорохин М.В. 1, Здоровейщев А.В. 1, Малышева Е.И. 1, Данилов Ю.А.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru, zdorovei@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.
PDF версия
Исследованы оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs, легированными атомами марганца или хрома в процессе выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии. Комбинированные измерения топографии поверхности и спектров люминесценции показали возможность управления спектральными характеристиками структур за счет изменения условий формирования и размеров квантовых точек в присутствии атомов примеси. Результаты объясняются особенностями формирования нанокластеров InAs на поверхности GaAs в присутствии атомов Mn или Cr. DOI: 10.21883/JTF.2017.09.44915.1988
  1. Bimberg D., Ribbat C. Microelectronics J. 2003. Vol. 34. N 5-8. P. 323--328
  2. Алферов Ж.И.. ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 1. С. 3--18
  3. Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. ФТП. 1998. T. 32. Вып. 4. С. 385--410
  4. Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. Quantum Dot Heterostructures. Chichester: Wiley, 1999. P. 338
  5. Жуков А.Е., Воловик Б.В., Михрин С.С., Малеев Н.А., Цацульников А.Ф., Никитина Е.В., Каяндер И.Н., Устинов В.М., Леденцов Н.Н. Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 17. С. 51--56
  6. Huffaker D.L., Deppe D.G. Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 73. N 4. P. 520--522
  7. Zubkov V.I., Kapteyn C.M.A., Solomonov A.V., Bimberg D. J. Physics: Condens. Matter. 2005. Vol. 17. P. 2435
  8. Zvonkov B.N., Karpovich I.A., Baidus N.V., Filatov D.O., Morozov S.V., Gushina Yu.Yu. Nanotechnology. 2000. Vol. 11. N 4. P. 221--226
  9. Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А, Демидов Е.С., Демина П.Б., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Подольский В.В., Сапожников М.В. Оптич. журн. 2008. Т. 75. Вып. 6. С. 56--61
  10. Holub M., Chakrabarti S., Fathpour S., Bhattacharya P., Lei Y., Ghosh S. Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 85. N 6. P. 973--1036
  11. Буравлев А.Д., Неведомский В.Н., Убыйвовк Е.В., Сапега В.Ф., Хребтов А.И., Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 8. P. 1033
  12. Meng H.J., Lu J., Chen L., Xu P.F., Deng J.J., Zhao J.H. Phys. Lett. A. 2009. Vol. 373. N 15. P. 1379--1382
  13. Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Шолина А.Е. Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. 2012. Вып. 6. C. 55--58
  14. Karpovich I.A., Baidus N.V., Zvonkov B.N., Morozov S.V., Filatov D.O., Zdoroveishev A.V. Nanotechnology. 2001. Vol. 12. N 4. P. 425--429
  15. Karpovich I.A., Zdoroveishev A.V., Gorshkov A.P., Filatov D.O., Skvortsov R.N. // Phys. Low-Dim. Struct. 2003. Vol. 3/4. P. 191
  16. Автореф. канд. дис. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией: А.В. Здоровейщев. Н. Новгород. 2006. 22 с
  17. Zaitsev S.V., Kulakovskii V.D., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Sapozhnikov M.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. // Physica E. 2009. Vol. 41. N 4. P. 652--654
  18. Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Danilov Yu.A., Podolskii V.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Malysheva E.I., Sapozhnikov M.V. Int. J. Nanoscience. 2007. Vol. 6. N 3--4. P. 221--224
  19. Zhou Y.K., Asahi H., Asakura J., Okumura S., Asami K., Gonda S. J. Cryst. Growth. 2000. Vol. 221. N 1--4. P. 605--610
  20. Nagahara S., Tsukamoto S., Arakawa Y. J. Cryst. Growth. 2007. Vol. 301-302. P. 797--800
  21. Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б. Инновационные технологии / Под ред. проф. С.В. Булярского. Ульяновск: УлГУ, 2010. N 3. С. 84
  22. Poggio M., Myers R.C., Stern N.P., Gossard A.C., Awschalom D.D. Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 235313
  23. Шуберт Ф.Е. Светодиоды / М.: Физматлит, 2008. 496 c
  24. Pavesi L., Guzzi M. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. N 10. P. 4779--4842.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme